公开(公告)号：US20120292587A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：US13424880

申请日：2012-03-20

申请人： Kouji MATSUO ,  Noritake OHMACHI ,  Tomotaka ARIGA ,  Junichi WADA ,  Yoshio OZAWA

发明人： Kouji MATSUO ,  Noritake OHMACHI ,  Tomotaka ARIGA ,  Junichi WADA ,  Yoshio OZAWA

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146

摘要： According to one embodiment, a nonvolatile memory device includes a memory cell. The memory cell includes a stacked film structure. The stacked film structure is capable of maintaining a first state or a second state. The first state includes a lower electrode film, a first memory element film provided on the lower electrode film and containing a first oxide and an upper electrode film provided on the first memory element film. The second state includes the lower electrode film, the first memory element film provided on the lower electrode film, a second memory element film provided on the first memory element film and containing a second oxide and the upper electrode film provided on the second memory element film.

摘要翻译： 根据一个实施例，非易失性存储器件包括存储单元。 存储单元包括层叠膜结构。 层叠膜结构能够保持第一状态或第二状态。 第一状态包括下电极膜，设置在下电极膜上并包含设置在第一存储元件膜上的第一氧化物和上电极膜的第一存储元件膜。 第二状态包括下电极膜，设置在下电极膜上的第一存储元件膜，设置在第一存储元件膜上并包含第二氧化物的第二存储元件膜，以及设置在第二存储元件膜上的上电极膜 。