公开(公告)号：US20100254189A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：US12801532

申请日：2010-06-14

申请人： Kyoung Lea Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

发明人： Kyoung Lea Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C29/00 ,  G11C2216/14

摘要： A memory programming apparatuses and/or methods are provided. The memory programming apparatus may include a data storage unit, a first counting unit, an index storage unit and/or a programming unit. The data storage unit may be configured to store a data page. The first counting unit may be configured to generate index information by counting a number of cells included in at least one reference threshold voltage state based on the data page. The index storage unit may be configured to store, the generated index information. The programming unit may be configured to store the data page in the data storage unit and store the generated index information in the index storage unit. The first counting unit may send the generated index information to the programming unit. The memory programming apparatus can monitor distribution states of threshold voltages in memory cells.

摘要翻译： 提供了存储器编程设备和/或方法。 存储器编程装置可以包括数据存储单元，第一计数单元，索引存储单元和/或编程单元。 数据存储单元可以被配置为存储数据页。 第一计数单元可以被配置为通过基于数据页计数包括在至少一个参考阈值电压状态中的单元的数量来生成索引信息。 索引存储单元可以被配置为存储所生成的索引信息。 编程单元可以被配置为将数据页存储在数据存储单元中，并将生成的索引信息存储在索引存储单元中。 第一计数单元可以将生成的索引信息发送到编程单元。 存储器编程装置可以监视存储器单元中阈值电压的分布状态。

公开(公告)号：US07738293B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US12213944

申请日：2008-06-26

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C29/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C29/00 ,  G11C2216/14

摘要： A memory programming apparatuses and/or methods are provided. The memory programming apparatus may include a data storage unit, a first counting unit, an index storage unit and/or a programming unit. The data storage unit may be configured to store a data page. The first counting unit may be configured to generate index information by counting a number of cells included in at least one reference threshold voltage state based on the data page. The index storage unit may be configured to store the generated index information. The programming unit may be configured to store the data page in the data storage unit and store the generated index information in the index storage unit. The first counting unit may send the generated index information to the programming unit. The memory programming apparatus can monitor distribution states of threshold voltages in memory cells.

摘要翻译： 提供了存储器编程设备和/或方法。 存储器编程装置可以包括数据存储单元，第一计数单元，索引存储单元和/或编程单元。 数据存储单元可以被配置为存储数据页。 第一计数单元可以被配置为通过基于数据页计数包括在至少一个参考阈值电压状态中的单元的数量来生成索引信息。 索引存储单元可以被配置为存储所生成的索引信息。 编程单元可以被配置为将数据页存储在数据存储单元中，并将生成的索引信息存储在索引存储单元中。 第一计数单元可以将生成的索引信息发送到编程单元。 存储器编程装置可以监视存储器单元中阈值电压的分布状态。

公开(公告)号：US08279668B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US12801532

申请日：2010-06-14

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C29/00 ,  G11C2216/14

摘要： A memory programming apparatuses and/or methods are provided. The memory programming apparatus may include a data storage unit, a first counting unit, an index storage unit and/or a programming unit. The data storage unit may be configured to store a data page. The first counting unit may be configured to generate index information by counting a number of cells included in at least one reference threshold voltage state based on the data page. The index storage unit may be configured to store, the generated index information. The programming unit may be configured to store the data page in the data storage unit and store the generated index information in the index storage unit. The first counting unit may send the generated index information to the programming unit. The memory programming apparatus can monitor distribution states of threshold voltages in memory cells.

摘要翻译： 提供了存储器编程设备和/或方法。 存储器编程装置可以包括数据存储单元，第一计数单元，索引存储单元和/或编程单元。 数据存储单元可以被配置为存储数据页。 第一计数单元可以被配置为通过基于数据页计数包括在至少一个参考阈值电压状态中的单元的数量来生成索引信息。 索引存储单元可以被配置为存储所生成的索引信息。 编程单元可以被配置为将数据页存储在数据存储单元中，并将生成的索引信息存储在索引存储单元中。 第一计数单元可以将生成的索引信息发送到编程单元。 存储器编程装置可以监视存储器单元中阈值电压的分布状态。

公开(公告)号：US20090185417A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：US12213944

申请日：2008-06-26

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C29/00 ,  G11C2216/14

摘要： A memory programming apparatuses and/or methods are provided. The memory programming apparatus may include a data storage unit, a first counting unit, an index storage unit and/or a programming unit. The data storage unit may be configured to store a data page. The first counting unit may be configured to generate index information by counting a number of cells included in at least one reference threshold voltage state based on the data page. The index storage unit may be configured to store the generated index information. The programming unit may be configured to store the data page in the data storage unit and store the generated index information in the index storage unit. The first counting unit may send the generated index information to the programming unit. The memory programming apparatus can monitor distribution states of threshold voltages in memory cells.

摘要翻译： 提供了存储器编程设备和/或方法。 存储器编程装置可以包括数据存储单元，第一计数单元，索引存储单元和/或编程单元。 数据存储单元可以被配置为存储数据页。 第一计数单元可以被配置为通过基于数据页计数包括在至少一个参考阈值电压状态中的单元的数量来生成索引信息。 索引存储单元可以被配置为存储所生成的索引信息。 编程单元可以被配置为将数据页存储在数据存储单元中，并将生成的索引信息存储在索引存储单元中。 第一计数单元可以将生成的索引信息发送到编程单元。 存储器编程装置可以监视存储器单元中阈值电压的分布状态。

公开(公告)号：US20090234792A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12292539

申请日：2008-11-20

申请人： Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun ,  Yong June Kim ,  Jun Jin Kong ,  Seung-Hwan Song

发明人： Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun ,  Yong June Kim ,  Jun Jin Kong ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： G06N5/00

CPC分类号： G06N99/005

摘要： Disclosed are a memory device and a data decision method. The memory device may include a memory cell array, and a decision unit configured to read first data from the memory cell array via a first channel, perform at least one of a hard and soft decision on the first data using a first number of decision levels set based on characteristics of the first channel, read second data from the memory cell array via a second channel, and perform a soft decision on the second data using a second number of decision levels set based on characteristics of the second channel.

摘要翻译： 公开了一种存储器件和数据判定方法。 存储器装置可以包括存储单元阵列，以及判定单元，被配置为经由第一通道从存储单元阵列读取第一数据，使用第一数量的判定级别对第一数据执行硬判决和软判决中的至少一个 基于第一信道的特性设置，经由第二信道从存储器单元阵列读取第二数据，并且使用基于第二信道的特性设置的第二数量的判定级来对第二数据执行软判决。

公开(公告)号：US08200607B2

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：US12292539

申请日：2008-11-20

申请人： Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun ,  Yong June Kim ,  Jun Jin Kong ,  Seung-Hwan Song

发明人： Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun ,  Yong June Kim ,  Jun Jin Kong ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： G06F17/00 ,  G06N5/02

CPC分类号： G06N99/005

摘要： Disclosed are a memory device and a data decision method. The memory device may include a memory cell array, and a decision unit configured to read first data from the memory cell array via a first channel, perform at least one of a hard and soft decision on the first data using a first number of decision levels set based on characteristics of the first channel, read second data from the memory cell array via a second channel, and perform a soft decision on the second data using a second number of decision levels set based on characteristics of the second channel.

摘要翻译： 公开了一种存储器件和数据判定方法。 存储器装置可以包括存储单元阵列，以及判定单元，被配置为经由第一通道从存储单元阵列读取第一数据，使用第一数量的判定级别对第一数据执行硬判决和软判决中的至少一个 基于第一信道的特性设置，经由第二信道从存储器单元阵列读取第二数据，并且使用基于第二信道的特性设置的第二数量的判定级来对第二数据执行软判决。

公开(公告)号：US08085599B2

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：US12801505

申请日：2010-06-11

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C16/32 ,  G11C16/349 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5634

摘要： Memory devices and/or methods that may estimate characteristics of multi-bit cell are provided. A memory device may include: a multi-bit cell array; a monitoring unit to extract a threshold voltage change over time value for reference threshold voltage states selected from a plurality of threshold voltage states corresponding to data stored in the multi-bit cell array; and an estimation unit to estimate a threshold voltage change over time values for the plurality of threshold voltage states based on the extracted threshold voltage change. Through this, it is possible to monitor a change over time of threshold voltages of a memory cell.

摘要翻译： 提供了可以估计多位单元特性的存储器件和/或方法。 存储器设备可以包括：多位单元阵列; 监测单元，用于提取从对应于存储在多位单元阵列中的数据的多个阈值电压状态中选择的参考阈值电压状态的时间值的阈值电压变化; 以及估计单元，用于基于所提取的阈值电压变化来估计所述多个阈值电压状态的时间值的阈值电压变化。 由此，可以监视存储单元的阈值电压随时间的变化。

公开(公告)号：US20100254195A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：US12801505

申请日：2010-06-11

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Seung-Hwan Song ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C16/32 ,  G11C16/349 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5634

摘要： Memory devices and/or methods that may estimate characteristics of multi-bit cell are provided. A memory device may include: a multi-bit cell array; a monitoring unit to extract a threshold voltage change over time value for reference threshold voltage states selected from a plurality of threshold voltage states corresponding to data stored in the multi-bit cell array; and an estimation unit to estimate a threshold voltage change over time values for the plurality of threshold voltage states based on the extracted threshold voltage change. Through this, it is possible to monitor a change over time of threshold voltages of a memory cell.

摘要翻译： 提供了可以估计多位单元特性的存储器件和/或方法。 存储器设备可以包括：多位单元阵列; 监测单元，用于提取从对应于存储在多位单元阵列中的数据的多个阈值电压状态中选择的参考阈值电压状态的时间值的阈值电压变化; 以及估计单元，用于基于所提取的阈值电压变化来估计所述多个阈值电压状态的时间值的阈值电压变化。 由此，可以监视存储单元的阈值电压随时间的变化。

公开(公告)号：US07843727B2

公开(公告)日：2010-11-30

申请号：US12232138

申请日：2008-09-11

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Donghun Yu ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Donghun Yu ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C29/00

摘要： A memory device and a memory data reading method are provided. The memory device may include: a multi-bit cell array; a programming unit that stores N data pages in a memory page in the multi-bit cell array; and a control unit that divides the N data pages into a first group and second group, reads data of the first group from the memory page, and determines a scheme of reading data of the second group from the memory page based on the read data of the first group.

摘要翻译： 提供存储器件和存储器数据读取方法。 存储器件可以包括：多位单元阵列; 编程单元，其将N个数据页存储在多位单元阵列中的存储器页面中; 以及控制单元，其将N个数据页划分为第一组和第二组，从存储器页面读取第一组的数据，并且基于读取的数据确定从存储器页面读取第二组的数据的方案 第一组。

公开(公告)号：US20090190397A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：US12232138

申请日：2008-09-11

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Donghun Yu ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Donghun Yu ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C29/00

摘要： A memory device and a memory data reading method are provided. The memory device may include: a multi-bit cell array; a programming unit that stores N data pages in a memory page in the multi-bit cell array; and a control unit that divides the N data pages into a first group and second group, reads data of the first group from the memory page, and determines a scheme of reading data of the second group from the memory page based on the read data of the first group.

摘要翻译： 提供存储器件和存储器数据读取方法。 存储器件可以包括：多位单元阵列; 编程单元，其将N个数据页存储在多位单元阵列中的存储器页面中; 以及控制单元，其将N个数据页划分为第一组和第二组，从存储器页面读取第一组的数据，并且基于读取的数据确定从存储器页面读取第二组的数据的方案 第一组。