公开(公告)号：US07722926B2

公开(公告)日：2010-05-25

申请号：US11460485

申请日：2006-07-27

申请人： Kyu-Ho Cho ,  Seung-Ho Yoo ,  Byung-Soo Kim ,  Jae-Sun Jung ,  Han-Jin Lim ,  Ki-Chul Kim ,  Jae-Soon Lim

发明人： Kyu-Ho Cho ,  Seung-Ho Yoo ,  Byung-Soo Kim ,  Jae-Sun Jung ,  Han-Jin Lim ,  Ki-Chul Kim ,  Jae-Soon Lim

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/40 ,  C07C217/08 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553

摘要： The present invention provides organometallic compounds and methods of forming thin films including using the same. The organometallic compounds include a metal and a ligand linked to the metal. The ligand can be represented by the following formula (1): wherein R1 and R2 are each independently hydrogen or an alkyl group. The thin films may be applied to semiconductor structures such as a gate insulation layer of a gate structure and a dielectric layer of a capacitor.

摘要翻译： 本发明提供有机金属化合物和形成薄膜的方法，包括使用它们。 有机金属化合物包括与金属连接的金属和配体。 配体可以由下式（1）表示：其中R 1和R 2各自独立地为氢或烷基。 薄膜可以应用于诸如栅极结构的栅极绝缘层和电容器的电介质层的半导体结构。

公开(公告)号：US20070031597A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11460485

申请日：2006-07-27

申请人： Kyu-Ho Cho ,  Seung-Ho Yoo ,  Byung-Soo Kim ,  Jae-Sun Jung ,  Han-Jin Lim ,  Ki-Chul Kim ,  Jae-Soon Lim

发明人： Kyu-Ho Cho ,  Seung-Ho Yoo ,  Byung-Soo Kim ,  Jae-Sun Jung ,  Han-Jin Lim ,  Ki-Chul Kim ,  Jae-Soon Lim

IPC分类号： C23C16/00 ,  C07F3/02

CPC分类号： C23C16/40 ,  C07C217/08 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553

摘要： The present invention provides organometallic precursors and methods of forming thin films including using the same. The organometallic precursors include a metal and a ligand linked to the metal. The ligand can be represented by the following formula (1): wherein R1 and R2 are each independently hydrogen or an alkyl group. The thin films may be applied to semiconductor structures such as a gate insulation layer of a gate structure and a dielectric layer of a capacitor.

摘要翻译： 本发明提供了有机金属前体和形成薄膜的方法，包括使用它们。 有机金属前体包括与金属连接的金属和配体。 配体可以由下式（1）表示：其中R 1和R 2各自独立地为氢或烷基。 薄膜可以应用于诸如栅极结构的栅极绝缘层和电容器的电介质层的半导体结构。