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    COMPOSITIONS AND METHODS FOR MODIFYING A SURFACE SUITED FOR SEMICONDUCTOR FABRICATION
    1.
    发明申请
    COMPOSITIONS AND METHODS FOR MODIFYING A SURFACE SUITED FOR SEMICONDUCTOR FABRICATION 有权
    用于修改用于半导体制造的表面的组合物和方法

    公开(公告)号：US20080026583A1

    公开(公告)日：2008-01-31

    申请号：US11839329

    申请日：2007-08-15

    申请人： L. Hardy ,  Heather Kranz ,  Thomas Wood ,  David Kaisaki ,  John Gagliardi ,  John Clark ,  Patricia Savu ,  Philip Clark

    发明人： L. Hardy ,  Heather Kranz ,  Thomas Wood ,  David Kaisaki ,  John Gagliardi ,  John Clark ,  Patricia Savu ,  Philip Clark

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/31053 ,  B24B37/044 ,  B24B37/245 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

    摘要： The disclosure pertains to compositions and methods for modifying or refining the surface of a wafer suited for semiconductor fabrication. The compositions include working liquids useful in modifying a surface of a wafer suited for fabrication of a semiconductor device. In some embodiments, the working liquids are aqueous solutions of initial components substantially free of loose abrasive particles, the components including water, a surfactant, and a pH buffer exhibiting at least one pKa greater than 7. In certain embodiments, the pH buffer includes a basic pH adjusting agent and an acidic complexing agent, and the working liquid exhibits a pH from about 7 to about 12. In further embodiments, the disclosure provides a fixed abrasive article comprising a surfactant suitable for modifying the surface of a wafer, and a method of making the fixed abrasive article. Additional embodiments describe methods that may be used to modify a wafer surface.

    摘要翻译： 本公开涉及用于改性或精制适于半导体制造的晶片表面的组合物和方法。 组合物包括可用于改性适于制造半导体器件的晶片表面的工作液体。 在一些实施方案中，工作液体是基本上不含松散磨料颗粒的初始组分的水溶液，组分包括水，表面活性剂和显示出大于7的至少一个pK的一个pH缓冲液。 某些实施方案中，pH缓冲液包括碱性pH调节剂和酸性络合剂，并且工作液体的pH值为约7至约12.在另外的实施方案中，本发明提供了一种固定磨料制品，其包含适于改性 晶片的表面，以及制造固定的磨料制品的方法。 另外的实施例描述了可用于修改晶片表面的方法。