公开(公告)号：US20130316547A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：US13958391

申请日：2013-08-02

申请人： Lam Research Corporation

发明人： Andreas Fischer ,  William Scott Bass

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02274 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/517

摘要： A method for processing a wafer with a wafer bevel that surrounds a central region is provided. The wafer is placed in a bevel plasma processing chamber. A protective layer is deposited on the wafer bevel without depositing the protective layer over the central region. The wafer is removed from the bevel plasma processing chamber. The wafer is further processed.

摘要翻译： 提供了一种用于处理具有围绕中心区域的晶片斜面的晶片的方法。 将晶片放置在斜面等离子体处理室中。 保护层沉积在晶片斜面上，而不在中心区域上沉积保护层。 从斜面等离子体处理室移除晶片。 晶片进一步处理。

公开(公告)号：US08664105B2

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：US13958391

申请日：2013-08-02

申请人： Lam Research Corporation

发明人： Andreas Fischer ,  William Scott Bass

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/02274 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/517

摘要： A method for processing a wafer with a wafer bevel that surrounds a central region is provided. The wafer is placed in a bevel plasma processing chamber. A protective layer is deposited on the wafer bevel without depositing the protective layer over the central region. The wafer is removed from the bevel plasma processing chamber. The wafer is further processed.

摘要翻译： 提供了一种用于处理具有围绕中心区域的晶片斜面的晶片的方法。 将晶片放置在斜面等离子体处理室中。 保护层沉积在晶片斜面上，而不在中心区域上沉积保护层。 从斜面等离子体处理室移除晶片。 晶片进一步处理。