公开(公告)号：US06495200B1

公开(公告)日：2002-12-17

申请号：US09206733

申请日：1998-12-07

申请人： Lap Chan ,  Fong Yau Li ,  Hou Tee Ng

发明人： Lap Chan ,  Fong Yau Li ,  Hou Tee Ng

IPC分类号： B05D512

CPC分类号： H01L21/76849 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1689 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76874

摘要： A method of for electroless copper deposition using a Pd/Pd acetate seeding layer formed in using only two components (Pd acetate and solvent) to form an interconnect for a semiconductor device. The invention has two preferred embodiments. The first embodiment forms a Key seed layer composed of Pd/Pd acetate by a spin-on or dip process for the electroless plating of a Cu plug. The second embodiment forms a Pd passivation cap layer over the Cu plug to prevent the Cu plug from oxidizing.

摘要翻译： 使用仅使用两种组分（Pd醋酸盐和溶剂）形成的Pd / Pd乙酸盐接种层来形成半导体器件的互连的无电镀铜沉积的方法。 本发明具有两个优选实施例。 第一实施例通过用于铜插塞的无电镀的旋涂或浸渍方法形成由Pd / Pd乙酸盐构成的键种子层。 第二实施例在Cu插塞上形成Pd钝化帽层以防止Cu插塞氧化。