公开(公告)号：US20050210438A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：US10886055

申请日：2004-07-08

申请人： Leonardus Henricus Verstappen ,  Jozef Finders ,  Andre Jeunink ,  Wim Tel ,  Alexander Van Der Hoff

发明人： Leonardus Henricus Verstappen ,  Jozef Finders ,  Andre Jeunink ,  Wim Tel ,  Alexander Van Der Hoff

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G06F17/50

CPC分类号： G03F7/705 ,  G03F7/706

摘要： A method is provided for modifying an image of a pattern during a lithographic imaging process, where the pattern is arranged on a mask for imaging by a projection system on a surface, and the image is an image formed from the pattern by the projection system. In this method the imaging quality of the projection system is described by selected imaging quality parameters, and the image is adjustable by image adjustment parameters of the projection system. The method comprises the steps of determining an ideal image of the pattern, determining a simulated distorted image of the pattern based on the selected imaging quality parameters; determining a deviation between the simulated distorted image and the ideal image, and adapting the image adjustment parameters during the imaging process to minimize the deviation between the simulated distorted image and the ideal image on the basis of the selected imaging quality parameters.

摘要翻译： 提供一种用于在光刻成像处理期间修改图案的图像的方法，其中图案被布置在用于通过投影系统在表面上成像的掩模上，并且图像是通过投影系统从图案形成的图像。 在这种方法中，通过选定的成像质量参数来描述投影系统的成像质量，并且可以通过投影系统的图像调整参数来调整图像。 该方法包括以下步骤：确定图案的理想图像，基于所选择的成像质量参数确定图案的模拟失真图像; 确定所述模拟失真图像和所述理想图像之间的偏差，以及在所述成像处理期间适配所述图像调整参数，以基于所选择的成像质量参数来最小化所述模拟失真图像与所述理想图像之间的偏差。

公开(公告)号：US20050031969A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：US10887323

申请日：2004-07-09

申请人： Jozef Finders ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Van Haren ,  Luis Alberto Colina ,  Eric Hendrickx ,  Geert Vandenberghe ,  Alexander Van Der Hoff

发明人： Jozef Finders ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Van Haren ,  Luis Alberto Colina ,  Eric Hendrickx ,  Geert Vandenberghe ,  Alexander Van Der Hoff

IPC分类号： G03F1/08 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/70633 ,  G03F7/70358 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/7084

摘要： A mask pattern for imaging a marker structure on a substrate with a lithographic apparatus, the marker structure being configured to determine optical alignment or overlay, includes constituent parts to define the marker structure. The constituent parts include a plurality of segments, each segment having substantially a size of a device feature and a segment shape. The mask pattern includes at least one assist feature located at a critical part of the segment shape. The at least one assist feature has substantially a size below a resolution of the lithographic projection and is configured to counteract optical aberrations or optical limitations generated in the lithographic projection at the critical part.

摘要翻译： 用于利用光刻设备对基板上的标记结构进行成像的掩模图案，所述标记结构被配置为确定光学对准或覆盖，包括用于限定标记结构的组成部分。 组成部分包括多个片段，每个片段具有基本上具有器件特征和片段形状的尺寸。 掩模图案包括位于片段形状的关键部分的至少一个辅助特征。 所述至少一个辅助特征具有基本上小于光刻投影的分辨率的尺寸，并且被配置为抵消在关键部分处的光刻投影中产生的光学像差或光学限制。