公开(公告)号：US20110059407A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：US12871185

申请日：2010-08-30

申请人： Li-Te S. LIN ,  Yen-Shuo SU ,  Hsueh-Chang SUNG ,  Feng-Cheng HSU ,  Chun Hsiung TSAI ,  Shiang-Bau WANG ,  Chun-Kuang CHEN

发明人： Li-Te S. LIN ,  Yen-Shuo SU ,  Hsueh-Chang SUNG ,  Feng-Cheng HSU ,  Chun Hsiung TSAI ,  Shiang-Bau WANG ,  Chun-Kuang CHEN

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/2024 ,  G03F7/405 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

摘要： A method of lithography patterning includes forming a first resist pattern over a substrate, baking the first resist features, hardening the first resist features, forming a second resist layer within the hardened first resist features, and patterning the second resist layer to form at least one second resist feature between the hardened first features.

摘要翻译： 一种光刻图案化方法包括在衬底上形成第一抗蚀剂图案，烘烤第一抗蚀剂特征，硬化第一抗蚀剂特征，在硬化的第一抗蚀剂特征内形成第二抗蚀剂层，以及使第二抗蚀剂层图形化以形成至少一个 硬化的第一特征之间的第二抗蚀特征。