公开(公告)号：US20040094801A1

公开(公告)日：2004-05-20

申请号：US10299801

申请日：2002-11-20

Applicant: MOTOROLA, INC.

Inventor： Yong Liang ,  Ravindranath Droopad ,  Hao Li ,  Zhiyi Yu

IPC: H01L027/01

CPC classification number: H01L27/22 ,  B82Y10/00 ,  H01L43/12

Abstract: A ferromagnetic semiconductor structure is provided. The structure includes a monocrystalline semiconductor substrate and a doped titanium oxide anatase layer overlying the semiconductor substrate.

Abstract translation: 提供了铁磁半导体结构。 该结构包括单晶半导体衬底和覆盖半导体衬底的掺杂氧化钛锐钛矿层。