公开(公告)号：US20120161821A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US13313720

申请日：2011-12-07

申请人： Man CHANG ,  Young-bae KIM ,  Chang-jung KIM ,  Myoung-jae LEE ,  Ji-hyun HUR ,  Dong-soo LEE ,  Chang-bum LEE ,  Seung-ryul LEE

发明人： Man CHANG ,  Young-bae KIM ,  Chang-jung KIM ,  Myoung-jae LEE ,  Ji-hyun HUR ,  Dong-soo LEE ,  Chang-bum LEE ,  Seung-ryul LEE

IPC分类号： H03B1/00 ,  H01C7/10

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0064 ,  G11C2013/0073

摘要： A method of operating a semiconductor device that includes a variable resistance device, the method including applying a first voltage to the variable resistance device so as to change a resistance value of the variable resistance device from a first resistance value to a second resistance value that is different from the first resistance value; sensing first current flowing through the variable resistance device to which the first voltage is applied; determining whether the first current falls within a predetermined range of current; and if the first current does not fall within the first range of current, applying an additional first voltage that is equal to the first voltage to the variable resistance device.

摘要翻译： 一种操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法，所述方法包括向可变电阻器件施加第一电压以便将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为第二电阻值，该第二电阻值是 不同于第一个电阻值; 感测流过施加有第一电压的可变电阻装置的第一电流; 确定第一电流是否落在预定的电流范围内; 并且如果所述第一电流不在所述第一电流范围内，则向所述可变电阻装置施加等于所述第一电压的附加第一电压。

公开(公告)号：US20130051125A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13590978

申请日：2012-08-21

申请人： Man CHANG ,  Young-bae KIM ,  Chang-jung KIM ,  Myoung-jae LEE ,  Seong-jun PARK ,  Ji-hyun HUR ,  Dong-soo LEE ,  Chang-bum LEE ,  Seung-ryul LEE

发明人： Man CHANG ,  Young-bae KIM ,  Chang-jung KIM ,  Myoung-jae LEE ,  Seong-jun PARK ,  Ji-hyun HUR ,  Dong-soo LEE ,  Chang-bum LEE ,  Seung-ryul LEE

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2213/56

摘要： According to an example embodiment, a method of operating a semiconductor device having a variable resistance device includes: applying a first voltage to the variable resistance device to change a resistance value of the variable resistance device from a first resistance value to a second resistance value that is different from the first resistance value; sensing a first current flowing through the variable resistance device to which the first voltage is applied; determining a second voltage used for changing the variable resistance device from the second resistance value to the first resistance value, based on a dispersion of the sensed first current; and applying the determined second voltage to the variable resistance device.

摘要翻译： 根据示例性实施例，一种操作具有可变电阻器件的半导体器件的方法包括：向可变电阻器件施加第一电压以将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为第二电阻值， 与第一电阻值不同; 感测流过施加有第一电压的可变电阻装置的第一电流; 基于感测到的第一电流的偏差，确定用于将可变电阻器件从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压; 以及将所确定的第二电压施加到所述可变电阻装置。

公开(公告)号：US20130146829A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：US13570653

申请日：2012-08-09

申请人： Kyung-min KIM ,  Young-bae KIM ,  Chang-jung KIM ,  Seung-ryul LEE ,  Chang-bum LEE ,  Man CHANG

发明人： Kyung-min KIM ,  Young-bae KIM ,  Chang-jung KIM ,  Seung-ryul LEE ,  Chang-bum LEE ,  Man CHANG

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1675

摘要： Resistive random access memory (RRAM) devices, and methods of manufacturing the same, include a RRAM device having a switching device, and a storage node connected to the switching device, wherein the storage node includes a first electrode, a metal oxide layer, and a second electrode sequentially stacked. The metal oxide layer contains a semiconductor material element affecting resistance of the storage node.

摘要翻译： 电阻随机存取存储器（RRAM）器件及其制造方法包括具有开关器件的RRAM器件和连接到开关器件的存储节点，其中存储节点包括第一电极，金属氧化物层和 依次堆叠的第二电极。 金属氧化物层含有影响存储节点电阻的半导体材料元素。

公开(公告)号：US20140042380A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：US13962470

申请日：2013-08-08

申请人： Kyung-min KIM ,  Young-bae KIM ,  Chang-jung KIM ,  Sung-ho KIM ,  Sae-jin KIM ,  Seung-ryul LEE ,  Man CHANG ,  Eun-ju CHO

发明人： Kyung-min KIM ,  Young-bae KIM ,  Chang-jung KIM ,  Sung-ho KIM ,  Sae-jin KIM ,  Seung-ryul LEE ,  Man CHANG ,  Eun-ju CHO

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145

摘要： According to example embodiments, a resistance switching material element includes a resistance switching material layer between a first electrode and a second electrode, and a self-rectifying layer provided between the resistance switching material layer and one of the first and second electrodes. The second electrode may be on the first electrode.

摘要翻译： 根据示例实施例，电阻切换材料元件包括在第一电极和第二电极之间的电阻切换材料层，以及设置在电阻切换材料层和第一和第二电极中的一个之间的自整流层。 第二电极可以在第一电极上。