公开(公告)号：US20100218593A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：US12682128

申请日：2008-09-24

申请人： Marcel Bouvet ,  Vicente Parra

发明人： Marcel Bouvet ,  Vicente Parra

IPC分类号： G01N27/12 ,  H01L51/00

CPC分类号： G01N27/126 ,  G01N33/0037 ,  G01N33/0039 ,  G01N33/0054 ,  Y02A50/245 ,  Y02A50/246 ,  Y02A50/247

摘要： The invention relates to a semi-conductor transducer, and to the use thereof in an electron donor or electron acceptor space sensor. Said transducer consists of an insulating substrate on the surface of which two electrodes and a semiconductor sensitive element are provided. The sensitive element consists of a layer of a semiconductor molecular material M1 having a conductivity C1 and a layer of a semiconductor molecular material M2 having a conductivity C2 and a forbidden bandwidth Eg2

摘要翻译： 本发明涉及半导体换能器及其在电子给体或电子受体空间传感器中的应用。 所述传感器由其上提供两个电极和半导体敏感元件的表面上的绝缘衬底组成。 敏感元件由具有导电性C1的半导体分子材料M1和具有导电率C2和禁止带宽Eg2 <1eV的半导体分子材料M2的层组成。 材料层M1与电极接触。 材料层M2沉积在材料层M1上并且不与电极接触。 电导率为C2 /C1≥1。

公开(公告)号：US08450725B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US12682128

申请日：2008-09-24

申请人： Marcel Bouvet ,  Vicente Parra

发明人： Marcel Bouvet ,  Vicente Parra

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： G01N27/126 ,  G01N33/0037 ,  G01N33/0039 ,  G01N33/0054 ,  Y02A50/245 ,  Y02A50/246 ,  Y02A50/247

摘要： The invention relates to a semi-conductor transducer, and to the use thereof in an electron donor or electron acceptor space sensor. Said transducer consists of an insulating substrate on the surface of which two electrodes and a semiconductor sensitive element are provided. The sensitive element consists of a layer of a semiconductor molecular material M1 having a conductivity C1 and a layer of a semiconductor molecular material M2 having a conductivity C2 and a forbidden bandwidth Eg2

摘要翻译： 本发明涉及半导体换能器及其在电子给体或电子受体空间传感器中的应用。 所述传感器由其上提供两个电极和半导体敏感元件的表面上的绝缘衬底组成。 敏感元件由具有导电性C1的半导体分子材料M1和具有导电率C2和禁止带宽Eg2 <1eV的半导体分子材料M2的层组成。 材料层M1与电极接触。 材料层M2沉积在材料层M1上并且不与电极接触。 电导率为C2 / C1> = 1。