公开(公告)号：US20160111421A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：US14828509

申请日：2015-08-17

申请人： Mark S. RODDER ,  Rwik SENGUPTA ,  Borna OBRADOVIC

发明人： Mark S. RODDER ,  Rwik SENGUPTA ,  Borna OBRADOVIC

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： An integrated circuit comprises at least one block comprising a first cell and a second cell. The first cell comprises a first FET formed with a first contacted poly pitch (CPP), and the second cell comprises a second FET formed with a second CPP. The first CPP is greater than the second CPP. The first FET is part of a critical-speed path, and the second FET is part of a noncritical-speed path, in which the critical-speed path operates at a faster speed than the noncritical-speed path. The first FET and the second FET each comprise a planar FET, a finFET, a gate-all-around FET or a nanosheet FET. A method for forming the integrated circuit is also disclosed.

摘要翻译： 集成电路包括至少一个包括第一单元和第二单元的块。 第一单元包括形成有第一接触聚间距（CPP）的第一FET，并且第二单元包括由第二CPP形成的第二FET。 第一个CPP大于第二个CPP。 第一个FET是临界速度路径的一部分，第二个FET是非临界速度路径的一部分，其中临界速度路径以比非临界速度路径更快的速度运行。 第一FET和第二FET各自包括平面FET，finFET，栅极全环FET或纳米片FET。 还公开了一种用于形成集成电路的方法。

公开(公告)号：US20160071848A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：US14834419

申请日：2015-08-24

申请人： Rwik SENGUPTA ,  Mark S. RODDER

发明人： Rwik SENGUPTA ,  Mark S. RODDER

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L23/535 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0847

摘要： An embodiment includes a semiconductor device, comprising: a substrate; a continuous diffusion region disposed on the substrate; a first gate structure disposed on the continuous diffusion region; a second gate structure disposed on the continuous diffusion region; an isolation gate structure disposed between the first gate structure and the second gate structure and disposed adjacent to the both the first gate structure and the second gate structure; a first diffusion region of the continuous diffusion region disposed between the first gate structure and the isolation gate structure; a second diffusion region of the continuous diffusion region disposed between the second gate structure and the isolation gate structure; a conductive layer disposed on the first and second diffusion regions; and an isolation gate contact disposed over the isolation gate structure and electrically insulated from the first diffusion region.

摘要翻译： 实施例包括半导体器件，包括：衬底; 设置在所述基板上的连续扩散区域; 设置在所述连续扩散区上的第一栅极结构; 设置在所述连续扩散区上的第二栅极结构; 隔离栅极结构，设置在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间并且邻近所述第一栅极结构和所述第二栅极结构设置; 所述连续扩散区域的第一扩散区域设置在所述第一栅极结构和所述隔离栅极结构之间; 所述连续扩散区域的第二扩散区域设置在所述第二栅极结构和所述隔离栅极结构之间; 布置在所述第一和第二扩散区上的导电层; 以及设置在隔离栅结构上并与第一扩散区电绝缘的隔离栅极触点。