公开(公告)号：US4183039A

公开(公告)日：1980-01-08

申请号：US913055

申请日：1978-06-06

申请人： Masaaki Aoki ,  Yuichi Ono ,  Makoto Morioka ,  Kazuhiro Ito ,  Mitshiuro Mori ,  Kazuhiro Kurata

发明人： Masaaki Aoki ,  Yuichi Ono ,  Makoto Morioka ,  Kazuhiro Ito ,  Mitshiuro Mori ,  Kazuhiro Kurata

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L33/14 ,  H01L33/30 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/0008

摘要： A light emitting semiconductor device wherein a p-n junction is defined by a ditch and wherein the ditch either extends to a low resistance layer or is away from the low resistance layer at most 1/2 of the width of the ditch is disclosed. It has the merit that the near field pattern is much more uniform than in a prior-art device.

摘要翻译： 一种发光半导体器件，其中p-n结由沟道限定，并且其中沟槽或者延伸到低电阻层或远离沟槽的至多1/2宽度的低电阻层。 具有近场图案比现有技术装置更均匀的优点。