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    SOLID GROUP IIIA PARTICLES FORMED VIA QUENCHING
    1.
    发明申请
    SOLID GROUP IIIA PARTICLES FORMED VIA QUENCHING 审中-公开
    固体IIIA颗粒通过捣碎形成

    公开(公告)号：US20080057203A1

    公开(公告)日：2008-03-06

    申请号：US11762058

    申请日：2007-06-12

    申请人： Matthew Robinson ,  Chris Eberspacher ,  Jeroen Van Duren

    发明人： Matthew Robinson ,  Chris Eberspacher ,  Jeroen Van Duren

    IPC分类号： B05D3/04

    CPC分类号： H01L31/0322 ,  Y02E10/541

    摘要： Methods and devices are provided for forming thin-films from solid group IIIA-based particles. In one embodiment, a process for forming solid particles is provided. The method includes providing a first suspension of solid and/or liquid particles containing at least one group IIIA element. A material may be added to substantially increase the melting point of at least one set of group IIIA-containing particles in the suspension into higher-melting solid particles comprising an alloy of the group IIIA element and at least a part of the added material. The suspension may be deposited onto a substrate to form a precursor layer on the substrate and the precursor layer is reacted in a suitable atmosphere to form a film.

    摘要翻译： 提供了用于从基于固体IIIA的颗粒形成薄膜的方法和装置。 在一个实施方案中，提供了形成固体颗粒的方法。 该方法包括提供含有至少一种IIIA族元素的固体和/或液体颗粒的第一悬浮液。 可以加入材料以将悬浮液中至少一组含IIIA族颗粒的熔点大大增加到包含IIIA族元素和至少一部分添加材料的合金的更高熔点固体颗粒中。 悬浮液可以沉积在基底上以在基底上形成前体层，并且前体层在合适的气氛中反应以形成膜。

    BANDGAP GRADING IN THIN-FILM DEVICES VIA SOLID GROUP IIIA PARTICLES
    2.
    发明申请
    BANDGAP GRADING IN THIN-FILM DEVICES VIA SOLID GROUP IIIA PARTICLES 失效
    通过固体IIIA族颗粒的薄膜装置中的带状分级

    公开(公告)号：US20080057616A1

    公开(公告)日：2008-03-06

    申请号：US11762060

    申请日：2007-06-12

    申请人： Matthew Robinson ,  Chris Eberspacher ,  Jeroen Van Duren

    发明人： Matthew Robinson ,  Chris Eberspacher ,  Jeroen Van Duren

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L31/0322 ,  Y02E10/541

    摘要： Methods and devices are provided for forming thin-films from solid group IIIA-based particles. In one embodiment, a method is provided for bandgap grading in a thin-film device using such particles. The method may be comprised of providing a bandgap grading material comprising of an alloy having: a) a IIIA material and b) a group IA-based material, wherein the alloy has a higher melting temperature than a melting temperature of the IIIA material in elemental form. A precursor material may be deposited on a substrate to form a precursor layer. The precursor material comprising group IB, IIIA, and/or VIA based particles. The bandgap grading material of the alloy may be deposited after depositing the precursor material. The alloy in the grading material may react after the precursor layer has begun to sinter and thus maintains a higher concentration of IIIA material in a portion of the compound film that forms above a portion that sinters first.

    摘要翻译： 提供了用于从基于固体IIIA的颗粒形成薄膜的方法和装置。 在一个实施例中，提供了使用这种颗粒在薄膜装置中进行带隙分级的方法。 该方法可以包括提供一种带隙分级材料，其包括合金，其具有：a）IIIA材料和b）基于IA的材料，其中该合金具有比元素中IIIA材料的熔融温度更高的熔融温度 形成。 可以将前体材料沉积在基底上以形成前体层。 包含IB，IIIA和/或VIA基颗粒的前体材料。 合金的带隙分级材料可以在沉积前体材料之后沉积。 在前体层开始烧结之后，分级材料中的合金可能会发生反应，从而在化合物膜的形成于部分首先烧结的部分之上维持更高浓度的IIIA材料。

    High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of thermal and chemical gradients
    3.
    发明申请
    High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of thermal and chemical gradients 审中-公开
    通过使用热和化学梯度对半导体前体层进行高通量打印

    公开(公告)号：US20070169811A1

    公开(公告)日：2007-07-26

    申请号：US11361523

    申请日：2006-02-23

    申请人： Jeroen Van Duren ,  Martin Roscheisen ,  Matthew Robinson ,  Craig Leidholm

    发明人： Jeroen Van Duren ,  Martin Roscheisen ,  Matthew Robinson ,  Craig Leidholm

    IPC分类号： H01L31/00

    CPC分类号： B22F9/04 ,  B22F1/0055 ,  B22F2009/041 ,  B22F2999/00 ,  C23C4/123 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1229 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/127 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  C23C24/10 ,  C23C26/00 ,  C23C26/02 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/426 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/549 ,  B22F2202/03

    摘要： A high-throughput method of forming a semiconductor precursor layer by use of a chalcogen-containing vapor is disclosed. In one embodiment, the method includes forming a first layer of a first precursor material over a surface of a substrate, wherein the precursor material comprises group IB-chalcogenide and/or group IIIA-chalcogenide particles. The method may include forming at least a second layer of a second precursor material over the first layer, wherein the second precursor material comprises group IB-chalcogenide and/or group IIIA-chalcogenide particles and wherein the second precursor material has a chalcogen content greater than that of the first material. The method may also include heating the first layer and the second layer in a suitable atmosphere to a temperature sufficient to react the particles and to release at least the surplus amount of chalcogen from the chalcogenide particles, wherein the surplus amount of chalcogen assumes a liquid form and acts as a flux to improve intermixing of elements to form the group IB-IIIA-chalcogenide film at a desired stoichiometric ratio

    摘要翻译： 公开了一种通过使用含硫属原子的蒸气形成半导体前体层的高通量方法。 在一个实施方案中，所述方法包括在基材的表面上形成第一前体材料的第一层，其中所述前体材料包含IB族硫族化合物和/或IIIA族硫族化物颗粒。 该方法可以包括在第一层上形成第二前体材料的至少第二层，其中第二前体材料包含IB族硫族化物和/或IIIA族硫族化物颗粒，并且其中第二前体材料的硫族元素含量大于 第一种材料。 该方法还可以包括在合适的气氛中将第一层和第二层加热到足以使颗粒反应的温度，并从硫族化物颗粒中释放至少剩余量的硫属元素，其中剩余量的硫族元素呈现液体形式 并且用作助熔剂以改善元素的混合以形成所需化学计量比的IB-IIIA族硫族化合物膜

    High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of low-melting chalcogenides
    6.
    发明申请
    High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of low-melting chalcogenides 审中-公开
    通过使用低熔点硫族化物对半导体前体层进行高通量打印

    公开(公告)号：US20070169809A1

    公开(公告)日：2007-07-26

    申请号：US11361103

    申请日：2006-02-23

    申请人： Jeroen Van Duren ,  Matthew Robinson ,  Craig Leidholm

    发明人： Jeroen Van Duren ,  Matthew Robinson ,  Craig Leidholm

    IPC分类号： H01L31/00

    CPC分类号： B22F9/04 ,  B22F1/0055 ,  B22F2009/041 ,  B22F2999/00 ,  C23C4/123 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1229 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/127 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  C23C24/10 ,  C23C26/00 ,  C23C26/02 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/426 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/549 ,  B22F2202/03

    摘要： A high-throughput method of forming a semiconductor precursor layer by use of low-melting chalcogenides is disclosed. In one embodiment, a method is provided that comprises of forming a precursor material comprising group IB-chalcogenide and/or group IIIA-chalcogenide particles, wherein amounts of the group IB or IIIA element and amounts of chalcogen in the particles are selected to be at a desired stoichiometric ratio for the group IB or IIIA chalcogenide that provides a melting temperature less than a highest melting temperature found on a phase diagram for any stoichiometric ratio of elements for the group IB or IIIA chalcogenide. The method includes disposing the particle precursor material over a surface of a substrate and heating the particle precursor material to a temperature sufficient to react the particles to form a film of a group IB-IIIA-chalcogenide compound. The method may include at least partially melting the particles.

    摘要翻译： 公开了一种通过使用低熔点硫族化合物形成半导体前体层的高通量方法。 在一个实施方案中，提供了一种方法，其包括形成包含IB-硫族化物和/或IIIA-硫族化物颗粒的前体材料，其中IB或IIIA族元素的量和颗粒中的硫属元素的量被选择为 对IB或IIIA族硫族化物基团的理想化学计量比，其提供熔融温度低于在IB图或IIIA族硫族化物元素的化学计量比的相图上发现的最高熔融温度。 该方法包括将颗粒前体材料设置在基材的表面上并将颗粒前体材料加热到足以使颗粒反应以形成IB-IIIA-硫族化物化合物组分的膜的温度。 该方法可以包括至少部分地熔化颗粒。

    High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of chalcogen-containing vapor and inter-metallic material
    7.
    发明申请
    High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of chalcogen-containing vapor and inter-metallic material 失效
    通过使用含硫属元素的蒸气和金属间材料对半导体前体层进行高通量打印

    公开(公告)号：US20070163644A1

    公开(公告)日：2007-07-19

    申请号：US11395668

    申请日：2006-03-30

    申请人： Jeroen Van Duren ,  Matthew Robinson ,  Brian Sager

    发明人： Jeroen Van Duren ,  Matthew Robinson ,  Brian Sager

    IPC分类号： B05D3/00

    CPC分类号： H01L31/0322 ,  C23C18/1204 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541

    摘要： A high-throughput method of forming a semiconductor precursor layer by use of a chalcogen-containing vapor is disclosed. In one embodiment, the method comprises forming a precursor material comprising group IB and/or group IIIA particles of any shape. The method may include forming a precursor layer of the precursor material over a surface of a substrate. The method may further include heating the particle precursor material in a substantially oxygen-free chalcogen atmosphere to a processing temperature sufficient to react the particles and to release chalcogen from the chalcogenide particles, wherein the chalcogen assumes a liquid form and acts as a flux to improve intermixing of elements to form a group IB-IIIA-chalcogenide film at a desired stoichiometric ratio. The chalcogen atmosphere may provide a partial pressure greater than or equal to the vapor pressure of liquid chalcogen in the precursor layer at the processing temperature.

    摘要翻译： 公开了一种通过使用含硫属原子的蒸气形成半导体前体层的高通量方法。 在一个实施方案中，该方法包括形成包含任何形状的IB族和/或IIIA族颗粒的前体材料。 该方法可以包括在衬底的表面上形成前体材料的前体层。 该方法还可以包括将基本上无氧的硫属元素气氛中的颗粒前体材料加热到足以使颗粒反应并从硫族化物颗粒中释放硫属元素的处理温度，其中硫族元素呈现液体形式并用作助熔剂以改善 元素的混合以期望的化学计量比形成IB-IIIA族硫族化合物膜。 硫属化合物气氛可以在处理温度下提供大于或等于前体层中液态硫属元素的蒸气压的分压。

    High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter-metallic microflake articles
    8.
    发明申请
    High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter-metallic microflake articles 审中-公开
    半金属微片制品半导体前体层的高通量印刷

    公开(公告)号：US20070163642A1

    公开(公告)日：2007-07-19

    申请号：US11395426

    申请日：2006-03-30

    申请人： Jeroen Van Duren ,  Matthew Robinson ,  Brian Sager

    发明人： Jeroen Van Duren ,  Matthew Robinson ,  Brian Sager

    IPC分类号： H01L31/00

    CPC分类号： H01L31/0322 ,  C23C18/1229 ,  C23C18/127 ,  C23C18/1275 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/14 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

    摘要： Methods and devices are provided for high-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles. In one embodiment, the method comprises of transforming non-planar or planar precursor materials in an appropriate vehicle under the appropriate conditions to create dispersions of planar particles with stoichiometric ratios of elements equal to that of the feedstock or precursor materials, even after settling. In particular, planar particles disperse more easily, form much denser coatings (or form coatings with more interparticle contact area), and anneal into fused, dense films at a lower temperature and/or time than their counterparts made from spherical nanoparticles. These planar particles may be microflakes that have a high aspect ratio. The resulting dense film formed from microflakes are particularly useful in forming photovoltaic devices. In one embodiment, at least one set of the particles in the ink may be inter-metallic flake particles (microflake or nanoflake) containing at least one group IB-IIIA inter-metallic alloy phase.

    摘要翻译： 提供了用于从微片微粒高通量印刷半导体前体层的方法和装置。 在一个实施方案中，该方法包括在合适的条件下，在合适的载体中转化非平面或平面前体材料，以产生具有等于原料或前体材料的化学计量比的化学计量比的平面颗粒的分散体，即使在沉降之后。 特别地，平面颗粒更容易分散，形成更致密的涂层（或形成具有更多颗粒间接触面积的涂层），并在比球形纳米颗粒制成的对应物更低的温度和/或时间下退火成熔融的致密膜。 这些平面颗粒可以是具有高纵横比的微片。 由微片形成的所得致密膜在形成光伏器件中特别有用。 在一个实施方案中，油墨中的至少一组颗粒可以是含有至少一种IB-IIIA族金属间合金相的金属间薄片（微花纹或纳米薄片）。

    High-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles
    10.
    发明申请
    High-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles 审中-公开
    从微片颗粒高通量印制半导体前体层

    公开(公告)号：US20070169813A1

    公开(公告)日：2007-07-26

    申请号：US11362266

    申请日：2006-02-23

    申请人： Matthew Robinson ,  Jeroen Van Duren ,  Craig Leidholm

    发明人： Matthew Robinson ,  Jeroen Van Duren ,  Craig Leidholm

    IPC分类号： H01L31/00

    CPC分类号： H01L31/1864 ,  C23C18/1204 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

    摘要： Methods and devices are provided for high-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles. In one embodiment, the method comprises of transforming non-planar or planar precursor materials in an appropriate vehicle under the appropriate conditions to create dispersions of planar particles with stoichiometric ratios of elements equal to that of the feedstock or precursor materials, even after settling. In particular, planar particles disperse more easily, form much denser coatings (or form coatings with more interparticle contact area), and anneal into fused, dense films at a lower temperature and/or time than their counterparts made from spherical nanoparticles. These planar particles may be microflakes that have a high aspect ratio. The resulting dense film formed from microflakes are particularly useful in forming photovoltaic devices.

    摘要翻译： 提供了用于从微片微粒高通量印刷半导体前体层的方法和装置。 在一个实施方案中，该方法包括在合适的条件下，在合适的载体中转化非平面或平面前体材料，以产生具有等于原料或前体材料的化学计量比的化学计量比的平面颗粒的分散体，即使在沉降之后。 特别地，平面颗粒更容易分散，形成更致密的涂层（或形成具有更多颗粒间接触面积的涂层），并在比球形纳米颗粒制成的对应物更低的温度和/或时间下退火成熔融的致密膜。 这些平面颗粒可以是具有高纵横比的微片。 由微片形成的所得致密膜在形成光伏器件中特别有用。