公开(公告)号：US06429503B2

公开(公告)日：2002-08-06

申请号：US09888034

申请日：2001-06-22

申请人： Matthias Uwe Lehr ,  Rene Tews ,  Jochen Müller ,  Jürgen Lindolf

发明人： Matthias Uwe Lehr ,  Rene Tews ,  Jochen Müller ,  Jürgen Lindolf

IPC分类号： H01L2900

CPC分类号： H01L23/53257 ,  H01L23/5252 ,  H01L23/53271 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A connection element in an integrated circuit having a layer structure disposed between two conductive structures. The layer structure is formed by an insulating layer, which can be destroyed by application of a predetermined voltage, and a silicon layer. The insulating layer adjoins a first conductive structure made of tungsten.

摘要翻译： 集成电路中的连接元件，其具有设置在两个导电结构之间的层结构。 层结构由可以通过施加预定电压而被破坏的绝缘层和硅层形成。 绝缘层邻接由钨制成的第一导电结构。

公开(公告)号：US06756254B2

公开(公告)日：2004-06-29

申请号：US10135580

申请日：2002-04-30

申请人： Rene Tews

发明人： Rene Tews

IPC分类号： H01L2182

CPC分类号： H01L23/5252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit is formed by a method having the steps of providing a circuit substrate with a first metallized region, providing a first insulation layer covered by a silicon layer, patterning the first insulation layer and silicon layer to form a first insulation region and first silicon region, then forming a second metallized layer on the silicon region, heating the material so that the second metal layer diffuses into the silicon layer to form a metal silicide region, which is subsequently covered by a second insulating layer having a contact with an interconnect to enable contacting an antifuse formed by the metal silicide region.

摘要翻译： 通过一种方法形成集成电路，所述方法具有以下步骤：为电路基板提供第一金属化区域，提供由硅层覆盖的第一绝缘层，图案化第一绝缘层和硅层以形成第一绝缘区域和第一硅 区域，然后在硅区域上形成第二金属化层，加热材料，使得第二金属层扩散到硅层中以形成金属硅化物区域，其随后被第二绝缘层覆盖，该第二绝缘层与互连 使得能够接触由金属硅化物区形成的反熔丝。

公开(公告)号：US06387792B2

公开(公告)日：2002-05-14

申请号：US09888021

申请日：2001-06-22

申请人： Matthias Lehr ,  Rene Tews

发明人： Matthias Lehr ,  Rene Tews

IPC分类号： H01L2900

CPC分类号： H01L23/5252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A dielectric antifuse structure is fabricated in an integrated circuit. The antifuse structure is incorporated in a contact hole in an oxide layer and has a dielectric layer arranged between a first conductive layer and a second conductive layer.

摘要翻译： 在集成电路中制造介电反熔丝结构。 反熔丝结构被结合在氧化物层的接触孔中，并且具有布置在第一导电层和第二导电层之间的电介质层。