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    Composition for forming high dielectric film for film capacitor
    3.
    发明授权
    Composition for forming high dielectric film for film capacitor 有权
    用于形成薄膜电容器的高介电膜的组合物

    公开(公告)号：US08934216B2

    公开(公告)日：2015-01-13

    申请号：US13141274

    申请日：2009-12-21

    申请人： Kouji Yokotani ,  Miharu Ota ,  Mayuko Tatemichi ,  Nobuyuki Komatsu ,  Eri Mukai ,  Meiten Koh

    发明人： Kouji Yokotani ,  Miharu Ota ,  Mayuko Tatemichi ,  Nobuyuki Komatsu ,  Eri Mukai ,  Meiten Koh

    IPC分类号： H01G4/08 ,  C08L27/16

    CPC分类号： H01G4/206 ,  C08K9/04 ,  C09D127/16 ,  H01G4/1218 ,  Y10T428/31678

    摘要： The present invention provides a high dielectric film for a film capacitor obtained by molding a film forming composition for a film capacitor comprising a thermoplastic resin (A) and surface-treated high dielectric inorganic particles (B) obtained by treating the surfaces of high dielectric inorganic particles (b1) having a dielectric constant (20° C., 1 kHz) of 100 or more with a low dielectric compound (b2) having a dielectric constant (20° C., 1 kHz) of 10 or less. This high dielectric film for a film capacitor can restrain the decrease of electrical insulating property, in spite of the high dielectric inorganic particles being dispersed at a high filling rate.

    摘要翻译： 本发明提供了一种用于薄膜电容器的高介电膜，该薄膜电容器通过模制一种薄膜电容器成膜组合物，该薄膜电容器包括热塑性树脂（A）和经表面处理的高介电无机颗粒（B） 具有介电常数（20℃，1kHz）为10以下的低介电常数（b2）的介电常数（20℃，1kHz）为100以上的粒子（b1）。 这种用于薄膜电容器的高介电膜可以抑制电绝缘性的降低，尽管高介电无机颗粒以高填充率分散。

    COMPOSITION FOR FORMING HIGH DIELECTRIC FILM FOR FILM CAPACITOR
    4.
    发明申请
    COMPOSITION FOR FORMING HIGH DIELECTRIC FILM FOR FILM CAPACITOR 有权
    用于形成用于膜电容器的高介电膜的组合物

    公开(公告)号：US20110249374A1

    公开(公告)日：2011-10-13

    申请号：US13141274

    申请日：2009-12-21

    申请人： Kouji Yokotani ,  Miharu Ota ,  Mayuko Tatemichi ,  Nobuyuki Komatsu ,  Eri Mukai ,  Meiten Koh

    发明人： Kouji Yokotani ,  Miharu Ota ,  Mayuko Tatemichi ,  Nobuyuki Komatsu ,  Eri Mukai ,  Meiten Koh

    IPC分类号： H01G4/08 ,  C08K5/5415 ,  B32B15/04 ,  C08K5/521 ,  C08L27/16 ,  C08K5/524 ,  C08K5/101

    CPC分类号： H01G4/206 ,  C08K9/04 ,  C09D127/16 ,  H01G4/1218 ,  Y10T428/31678

    摘要： The present invention provides a high dielectric film for a film capacitor obtained by molding a film forming composition for a film capacitor comprising a thermoplastic resin (A) and surface-treated high dielectric inorganic particles (B) obtained by treating the surfaces of high dielectric inorganic particles (b1) having a dielectric constant (20° C., 1 kHz) of 100 or more with a low dielectric compound (b2) having a dielectric constant (20° C., 1 kHz) of 10 or less. This high dielectric film for a film capacitor can restrain the decrease of electrical insulating property, in spite of the high dielectric inorganic particles being dispersed at a high filling rate.

    摘要翻译： 本发明提供了一种用于薄膜电容器的高介电膜，该薄膜电容器通过模制一种薄膜电容器成膜组合物，该薄膜电容器包括热塑性树脂（A）和经表面处理的高介电无机颗粒（B） 具有介电常数（20℃，1kHz）为10以下的低介电常数（b2）的介电常数（20℃，1kHz）为100以上的粒子（b1）。 这种用于薄膜电容器的高介电膜可以抑制电绝缘性的降低，尽管高介电无机颗粒以高填充率分散。

    HIGH DIELECTRIC FILM
    6.
    发明申请
    HIGH DIELECTRIC FILM 审中-公开
    高介电膜

    公开(公告)号：US20120293909A1

    公开(公告)日：2012-11-22

    申请号：US13522442

    申请日：2011-01-11

    申请人： Mayuko Tatemichi ,  Nanako Takano ,  Miharu Ota ,  Kouji Yokotani ,  Nobuyuki Komatsu ,  Eri Mukai ,  Meiten Koh

    发明人： Mayuko Tatemichi ,  Nanako Takano ,  Miharu Ota ,  Kouji Yokotani ,  Nobuyuki Komatsu ,  Eri Mukai ,  Meiten Koh

    IPC分类号： C08L27/16 ,  C08K3/22 ,  C08L1/00 ,  H01G4/30

    CPC分类号： H01B3/445 ,  C08J5/18 ,  C08J2327/16 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/18 ,  H01G4/186 ,  H01G4/20 ,  H01G4/206

    摘要： The present invention provides a high dielectric film comprising: a film-forming resin (A); and inorganic particles (B), wherein the film-forming resin (A) contains a vinylidene fluoride resin (a1), an amount of the inorganic particles (B) is not less than 0.01 parts by mass and less than 10 parts by mass for each 100 parts by mass of the film-forming resin (A), and the inorganic oxide particles (B) is at least one selected from the group consisting of: (B1) inorganic oxide particles of a metallic element of Group 2, 3, 4, 12, or 13 of the Periodic Table, or inorganic oxide composite particles of these; (B2) inorganic composite oxide particles represented by formula (1): M1a1Nb1Oc1 wherein M1 represents a metallic element of Group 2, N represents a metallic element of Group 4, a1 represents 0.9 to 1.1, b1 represents 0.9 to 1.1, c1 represents 2.8 to 3.2, and the numbers of M1 and N each may be more than 1; and (B3) inorganic oxide composite particles of an oxide of a metallic element of Group 2, 3, 4, 12, or 13 of the Periodic Table and silicon oxide. The film has improved volume resistivity while maintaining a high dielectric constant owing to a VdF resin.

    摘要翻译： 本发明提供一种高介电膜，包括：成膜树脂（A）; 和无机粒子（B），其中，成膜树脂（A）含有偏二氟乙烯树脂（a1），无机粒子（B）的量为0.01质量份以上且小于10质量份，对于 每100质量份成膜树脂（A）和无机氧化物颗粒（B）是选自以下组中的至少一种：（B1）第2,3组金属元素的无机氧化物颗粒， 4,12或13，或这些的无机氧化物复合颗粒; （B2）式（1）表示的无机复合氧化物颗粒：M1a1Nb1Oc1其中M1表示第2族的金属元素，N表示第4族的金属元素，a1表示0.9〜1.1，b1表示0.9〜1.1，c1表示2.8〜 3.2，M1和N的数量可能大于1; 和（B3）元素周期表第2,3,4,12或13族金属元素的氧化物的无机氧化物复合颗粒和氧化硅。 该膜具有改善的体积电阻率，同时由于VdF树脂而保持高的介电常数。