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    Using Multi-Layer/Multi-Input/Multi-Output (MLMIMO) models for metal-gate structures
    1.
    发明授权
    Using Multi-Layer/Multi-Input/Multi-Output (MLMIMO) models for metal-gate structures 有权
    使用金属栅结构的多层/多输入/多输出（MLMIMO）模型

    公开(公告)号：US07894927B2

    公开(公告)日：2011-02-22

    申请号：US12186619

    申请日：2008-08-06

    申请人： Merritt Funk ,  Radha Sundararajan ,  Asao Yamashita ,  Daniel Prager ,  Hyung Joo Lee

    发明人： Merritt Funk ,  Radha Sundararajan ,  Asao Yamashita ,  Daniel Prager ,  Hyung Joo Lee

    IPC分类号： G06F19/00 ,  G06F17/50 ,  G06F7/60 ,  G06F1/00

    CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： The invention provides a method of processing a wafer using multilayer processing sequences and Multi-Layer/Multi-Input/Multi-Output (MLMIMO) models and libraries that can include one or more measurement procedures, one or more Poly-Etch (P-E) sequences, and one or more metal-gate etch sequences. The MLMIMO process control uses dynamically interacting behavioral modeling between multiple layers and/or multiple process steps. The multiple layers and/or the multiple process steps can be associated with the creation of lines, trenches, vias, spacers, contacts, and gate structures that can be created using isotropic and/or anisotropic etch processes.

    摘要翻译： 本发明提供了一种使用多层处理序列和多层/多输入/多输出（MLMIMO）模型以及可以包括一个或多个测量程序，一个或多个聚蚀刻（PE）序列 ，以及一个或多个金属栅极蚀刻序列。 MLMIMO过程控制使用多个层和/或多个过程步骤之间的动态交互行为建模。 多层和/或多个工艺步骤可以与可以使用各向同性和/或各向异性蚀刻工艺产生的线，沟槽，通孔，间隔物，接触和栅极结构的产生相关联。

    Using Multi-Layer/Multi-Input/Multi-Output (MLMIMO) Models for Metal-Gate Structures
    2.
    发明申请
    Using Multi-Layer/Multi-Input/Multi-Output (MLMIMO) Models for Metal-Gate Structures 有权
    使用金属门结构的多层/多输入/多输出（MLMIMO）模型

    公开(公告)号：US20100036518A1

    公开(公告)日：2010-02-11

    申请号：US12186619

    申请日：2008-08-06

    申请人： Merritt Funk ,  Radha Sundararajan ,  Asao Yamashita ,  Daniel Prager ,  Hyung Joo Lee

    发明人： Merritt Funk ,  Radha Sundararajan ,  Asao Yamashita ,  Daniel Prager ,  Hyung Joo Lee

    IPC分类号： G06F19/00

    CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： The invention provides a method of processing a wafer using multilayer processing sequences and Multi-Layer/Multi-Input/Multi-Output (MLMIMO) models and libraries that can include one or more measurement procedures, one or more Poly-Etch (P-E) sequences, and one or more metal-gate etch sequences. The MLMIMO process control uses dynamically interacting behavioral modeling between multiple layers and/or multiple process steps. The multiple layers and/or the multiple process steps can be associated with the creation of lines, trenches, vias, spacers, contacts, and gate structures that can be created using isotropic and/or anisotropic etch processes.

    摘要翻译： 本发明提供了一种使用多层处理序列和多层/多输入/多输出（MLMIMO）模型以及可以包括一个或多个测量程序，一个或多个聚 - 蚀刻（PE）序列 ，以及一个或多个金属栅极蚀刻序列。 MLMIMO过程控制使用多层和/或多个过程步骤之间的动态交互行为建模。 多层和/或多个工艺步骤可以与可以使用各向同性和/或各向异性蚀刻工艺产生的线，沟槽，通孔，间隔物，接触和栅极结构的产生相关联。

    Creating Multi-Layer/Multi-Input/Multi-Output (MLMIMO) Models for Metal-Gate Structures
    3.
    发明申请
    Creating Multi-Layer/Multi-Input/Multi-Output (MLMIMO) Models for Metal-Gate Structures 有权
    为金属门结构创建多层/多输入/多输出（MLMIMO）模型

    公开(公告)号：US20100036514A1

    公开(公告)日：2010-02-11

    申请号：US12186668

    申请日：2008-08-06

    申请人： Merritt Funk ,  Radha Sundararajan ,  Asao Yamashita ,  Daniel Prager ,  Hyung Joo Lee

    发明人： Merritt Funk ,  Radha Sundararajan ,  Asao Yamashita ,  Daniel Prager ,  Hyung Joo Lee

    IPC分类号： G06F19/00

    CPC分类号： G05B17/02 ,  Y10S438/924

    摘要： The invention provides a method of processing a wafer using multilayer processing sequences and Multi-Layer/Multi-Input/Multi-Output (MLMIMO) models and libraries that can include one or more measurement procedures, one or more Poly-Etch (P-E) sequences, and one or more metal-gate etch sequences. The MLMIMO process control uses dynamically interacting behavioral modeling between multiple layers and/or multiple process steps. The multiple layers and/or the multiple process steps can be associated with the creation of lines, trenches, vias, spacers, contacts, and gate structures that can be created using isotropic and/or anisotropic etch processes.

    摘要翻译： 本发明提供了一种使用多层处理序列和多层/多输入/多输出（MLMIMO）模型以及可以包括一个或多个测量程序，一个或多个聚蚀刻（PE）序列 ，以及一个或多个金属栅极蚀刻序列。 MLMIMO过程控制使用多层和/或多个过程步骤之间的动态交互行为建模。 多层和/或多个工艺步骤可以与可以使用各向同性和/或各向异性蚀刻工艺产生的线，沟槽，通孔，间隔物，接触和栅极结构的产生相关联。

    Creating multi-layer/multi-input/multi-output (MLMIMO) models for metal-gate structures
    6.
    发明授权
    Creating multi-layer/multi-input/multi-output (MLMIMO) models for metal-gate structures 有权
    为金属门结构创建多层/多输入/多输出（MLMIMO）模型

    公开(公告)号：US08019458B2

    公开(公告)日：2011-09-13

    申请号：US12186668

    申请日：2008-08-06

    申请人： Merritt Funk ,  Radha Sundararajan ,  Asao Yamashita ,  Daniel Prager ,  Hyung Joo Lee

    发明人： Merritt Funk ,  Radha Sundararajan ,  Asao Yamashita ,  Daniel Prager ,  Hyung Joo Lee

    IPC分类号： G06F19/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/36 ,  H01L21/44 ,  H01L21/31 ,  G01R31/26 ,  C30B23/00 ,  C23F1/00 ,  H01L39/00

    CPC分类号： G05B17/02 ,  Y10S438/924

    摘要： The invention provides a method of processing a wafer using multilayer processing sequences and Multi-Layer/Multi-Input/Multi-Output (MLMIMO) models and libraries that can include one or more measurement procedures, one or more Poly-Etch (P-E) sequences, and one or more metal-gate etch sequences. The MLMIMO process control uses dynamically interacting behavioral modeling between multiple layers and/or multiple process steps. The multiple layers and/or the multiple process steps can be associated with the creation of lines, trenches, vias, spacers, contacts, and gate structures that can be created using isotropic and/or anisotropic etch processes.

    摘要翻译： 本发明提供了一种使用多层处理序列和多层/多输入/多输出（MLMIMO）模型以及可以包括一个或多个测量程序，一个或多个聚蚀刻（PE）序列 ，以及一个或多个金属栅极蚀刻序列。 MLMIMO过程控制使用多层和/或多个过程步骤之间的动态交互行为建模。 多层和/或多个工艺步骤可以与可以使用各向同性和/或各向异性蚀刻工艺产生的线，沟槽，通孔，间隔物，接触和栅极结构的产生相关联。

    Creating metal gate structures using Lithography-Etch-Lithography-Etch (LELE) processing sequences
    9.
    发明授权
    Creating metal gate structures using Lithography-Etch-Lithography-Etch (LELE) processing sequences 有权
    使用光刻蚀刻 - 刻蚀 - 蚀刻（LELE）处理序列创建金属栅极结构

    公开(公告)号：US08183062B2

    公开(公告)日：2012-05-22

    申请号：US12391410

    申请日：2009-02-24

    申请人： Merritt Funk ,  Radha Sundararajan ,  Asao Yamashita ,  Daniel Prager

    发明人： Merritt Funk ,  Radha Sundararajan ,  Asao Yamashita ,  Daniel Prager

    IPC分类号： H01L21/66

    CPC分类号： G03B27/42 ,  G03F7/70466

    摘要： The invention can provide apparatus and methods of creating metal gate structures on wafers in real-time using Lithography-Etch-Lithography-Etch (LELE) processing sequence. Real-time data and/or historical data associated with LELE processing sequences can be fed forward and/or fed back as fixed variables or constrained variables in internal-Integrated-Metrology modules (i-IMM) to improve the accuracy of the metal gate structures.

    摘要翻译： 本发明可以提供使用光刻蚀刻光刻蚀刻（LELE）处理序列实时地在晶片上形成金属栅极结构的设备和方法。 与LELE处理序列相关联的实时数据和/或历史数据可以作为内部集成计量模块（i-IMM）中的固定变量或约束变量进​​行向前馈送和/或反馈，以提高金属门结构的精度 。