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    Process of forming silicon-based nanowires
    1.
    发明申请
    Process of forming silicon-based nanowires 审中-公开
    形成硅基纳米线的工艺

    公开(公告)号：US20050176264A1

    公开(公告)日：2005-08-11

    申请号：US10918479

    申请日：2004-08-16

    申请人： Ming-Shyong Lai ,  Chih-Jen Lin ,  Hung-Cheng Chen ,  Jyh-Chung Wen

    发明人： Ming-Shyong Lai ,  Chih-Jen Lin ,  Hung-Cheng Chen ,  Jyh-Chung Wen

    IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/60 ,  H01L21/26

    CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B23/00 ,  C30B29/605

    摘要： A process of forming silicon-based nanowires heats high-surface-oxygen-content silicon powders to initiate vapor-solid reaction to form nanowires. The reaction gas is charged to react with the Si powders to form the silicon-based nanowires such as silicon nanowires or SiC nanowires. With control of the reaction gas, the components of the nanowires can be exactly controlled without the addition of metallic catalysts. Thereby, the nanowires can be made with reduced cost.

    摘要翻译： 形成硅基纳米线的方法加热高表面含氧硅粉末以引发气 - 固反应以形成纳米线。 反应气体与Si粉末反应形成硅纳米线如硅纳米线或SiC纳米线。 通过控制反应气体，可以在不加入金属催化剂的情况下精确地控制纳米线的组分。 因此，可以以降低成本制造纳米线。