公开(公告)号：US20100072580A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：US12620523

申请日：2009-11-17

申请人： Mohamad A. Shaheen ,  Willy Rachmady ,  Peter Toichinsky

发明人： Mohamad A. Shaheen ,  Willy Rachmady ,  Peter Toichinsky

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L21/76251 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/045 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A multi-layered substrate with bulk substrate characteristics and processes for the fabrication of such substrates are herein disclosed. The multi-layered substrate can include a first layer, a second layer and an interfacial layer therebetween. The first and second layers can be silicon, germanium, or any other suitable material of the same or different crystal orientations. The interfacial layer can be an oxide layer from about 5 Angstroms to about 50 Angstroms.

摘要翻译： 本文公开了具有体基板特性的多层基板和用于制造这种基板的工艺。 多层基板可以包括第一层，第二层和它们之间的界面层。 第一层和第二层可以是硅，锗或具有相同或不同晶体取向的任何其它合适的材料。 界面层可以是约5埃至约50埃的氧化物层。