公开(公告)号：US20120103519A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13280129

申请日：2011-10-24

申请人： Mohammed Aheem ,  Sang-Ho Lee ,  Thomas Mercer ,  Vasil Vorsa

发明人： Mohammed Aheem ,  Sang-Ho Lee ,  Thomas Mercer ,  Vasil Vorsa

IPC分类号： H01L21/00 ,  C23C14/34 ,  C23C16/48 ,  C23C4/12 ,  B44C1/22 ,  B05D5/00

CPC分类号： C23F11/00 ,  C23C4/11 ,  C23C4/134 ,  C23C14/083 ,  C23C16/4404

摘要： Included within the scope of the invention are plasma etch-resistant films for substrates. The films include a yttria material and a at least a portion of the yttria material is in a crystal phase having an orientation defined by a Miller Index notation {111}. Also included are methods of manufacturing plasma etch-resistant films on a substrate. Such methods include applying a yttria material-containing composition onto at least a portion of a surface of a substrate to form a film. The film includes a yttria material and at least a portion of the yttria material is in a crystal phase having an orientation defined by a Miller Index notation {111}.

摘要翻译： 包括在本发明范围内的是用于衬底的耐等离子体耐蚀刻膜。 膜包括氧化钇材料，并且氧化钇材料的至少一部分在具有由米勒指数符号{111}定义的取向的晶相中。 还包括在衬底上制造等离子体耐蚀刻膜的方法。 这样的方法包括将含氧化钇材料的组合物施加到基底表面的至少一部分上以形成膜。 该膜包括氧化钇材料，并且氧化钇材料的至少一部分处于具有由米勒指数符号{111}定义的取向的晶相。