公开(公告)号：US20090109724A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US11933109

申请日：2007-10-31

申请人： Myron BUER ,  Jonathan Schmitt ,  Laurentiu Vasiliu

发明人： Myron BUER ,  Jonathan Schmitt ,  Laurentiu Vasiliu

IPC分类号： G11C17/14

CPC分类号： G11C17/16 ,  G11C17/18

摘要： A differential latch-based one time programmable memory cell is provided. The differential latch-based one time programmable memory cell includes a differential latching amplifier having a first set of fuse devices coupled to the first input and a second set of fuse devices coupled to the second input. Only one set of fuse devices can be programmed in a memory cell. If one or more fuse devices in a set of fuse devices are programmed, the side having the programmed fuse will present a lower voltage at its input to the differential latching amplifier. Differential latching amplifier outputs a “0” or a “1” depending on the side having the programmed fuse.

摘要翻译： 提供基于差分锁存器的一次可编程存储器单元。 基于差分锁存器的一次性可编程存储器单元包括差分锁存放大器，其具有耦合到第一输入端的第一组熔丝器件和耦合到第二输入端的第二组熔丝器件。 只能在存储单元中编写一组熔丝器件。 如果一组熔丝器件中的一个或多个保险丝器件被编程，则具有编程保险丝的一侧将在其对差分锁存放大器的输入端呈现较低的电压。 差分锁存放大器根据编程保险丝的一侧输出“0”或“1”。

公开(公告)号：US20090109723A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US11933073

申请日：2007-10-31

申请人： Myron BUER ,  Jonathan Schmitt ,  Laurentiu Vasiliu

发明人： Myron BUER ,  Jonathan Schmitt ,  Laurentiu Vasiliu

IPC分类号： G11C17/00

CPC分类号： G11C17/18 ,  G11C11/419 ,  G11C17/146 ,  G11C17/16

摘要： A quad SRAM based one time programmable memory cell is provided. Prior to programming, the memory cell operates as an SRAM memory cell. After programming, the memory cell operates as a one-time programmable non-volatile memory cell. The memory cell includes a storage element coupled at a first side to a first upper fuse and a first lower fuse and coupled at a second side to a second upper fuse and a second lower fuse. When the first upper fuse and second lower fuse are programmed, the storage element outputs a first value. When the second upper fuse and first lower fuse are programmed, the storage element outputs a second value. After programming the upper fuse acts as a pull-up fuse and the lower fuse acts as a pull-down fuse hold the state of the cell.

摘要翻译： 提供了基于四位SRAM的一次性可编程存储单元。 在编程之前，存储单元作为SRAM存储单元工作。 在编程之后，存储器单元作为一次性可编程非易失性存储单元工作。 存储单元包括在第一侧耦合到第一上保险丝和第一下熔丝的存储元件，并且在第二侧耦合到第二上保险丝和第二下保险丝。 当第一上保险丝和第二下保险丝被编程时，存储元件输出第一值。 当第二上保险丝和第一下保险丝被编程时，存储元件输出第二值。 编程后，上保险丝作为上拉保险丝，下保险丝作为下拉保险丝保持电池的状态。

公开(公告)号：US20120014200A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US13034395

申请日：2011-02-24

申请人： Myron BUER

发明人： Myron BUER

IPC分类号： G11C17/16 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C17/165 ,  G11C17/14 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L28/24 ,  H01L29/8611

摘要： Embodiments extend the capability of fuse elements, anti-fuse elements, and combinations thereof to enable multi-time programmable memory elements. Accordingly, embodiments significantly reduce area requirements and control circuitry complexity of memory elements. Embodiments can be used in non-volatile memory storage, for example, and are suitable for use in system on chip (SoC) products.

摘要翻译： 实施例扩展了熔丝元件，反熔丝元件及其组合的能力，以实现多时间可编程存储元件。 因此，实施例显着地减少存储元件的面积要求和控制电路的复杂性。 例如，实施例可以用在非易失性存储器存储器中，并且适用于片上系统（SoC）产品。

公开(公告)号：US20080247242A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：US12109144

申请日：2008-04-24

申请人： Douglas D. SMITH ,  Myron BUER ,  Bassem F. RADIEDDINE

发明人： Douglas D. SMITH ,  Myron BUER ,  Bassem F. RADIEDDINE

IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C7/10 ,  G11C11/00

CPC分类号： G11C17/16

摘要： A one-time programmable device includes a controller, a protection system, a static storage element and a latch, which can be referred to as a latch-based one-time programmable (OTP) element. In one example, the static storage element includes a thin gate-oxide that acts as a resistance element, which, depending on whether its blown, sets the latch into one of two states.

摘要翻译： 一次性可编程设备包括控制器，保护系统，静态存储元件和锁存器，其可被称为基于锁存器的一次可编程（OTP）元件。 在一个示例中，静态存储元件包括用作电阻元件的薄栅极氧化物，其根据其是否被熔断将锁存器设置为两种状态之一。