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1.发明授权Very low voltage, ultrafast nanoelectromechanical switches and resonant switches 有权超低电压，超高速纳米机电开关和谐振开关公开(公告)号：US08115344B2
公开(公告)日：2012-02-14
申请号：US12546485
申请日：2009-08-24
IPC分类号： H01H59/00
CPC分类号： H01H1/0094 , H01H59/0009 , H01H2001/0078 , Y10T307/74
摘要： The invention provides lateral nanoelectromechanical switches useful for integration into circuitry fabricated using standard semiconductor processing methods, or using techniques compatible with the mainstream semiconductor processing technologies. Methods of fabricating the switches are described. Some exemplary designs for two and three terminal switches are provided. Descriptions of structural features and the operating parameters for some exemplary switches are given. The switches are expected to be compatible with circuitry that is operable in computer-based systems.
摘要翻译： 本发明提供了侧向纳米机电开关，其用于集成到使用标准半导体处理方法制造的电路中，或者使用与主流半导体处理技术兼容的技术。 描述制造开关的方法。 提供了两个和三个端子开关的一些示例性设计。 给出了一些示例性开关的结构特征和操作参数的描述。 这些开关预期与在基于计算机的系统中可操作的电路兼容。
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2.发明申请VERY LOW VOLTAGE, ULTRAFAST NANOELECTROMECHANICAL SWITCHES AND RESONANT SWITCHES 有权非常低电压，超高频纳米电子开关和谐波开关公开(公告)号：US20100140066A1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：US12546485
申请日：2009-08-24
IPC分类号： H01H59/00
CPC分类号： H01H1/0094 , H01H59/0009 , H01H2001/0078 , Y10T307/74
摘要： The invention provides lateral nanoelectromechanical switches useful for integration into circuitry fabricated using standard semiconductor processing methods, or using techniques compatible with the mainstream semiconductor processing technologies. Methods of fabricating the switches are described. Some exemplary designs for two and three terminal switches are provided. Descriptions of structural features and the operating parameters for some exemplary switches are given. The switches are expected to be compatible with circuitry that is operable in computer-based systems.
摘要翻译： 本发明提供了侧向纳米机电开关，其用于集成到使用标准半导体处理方法制造的电路中，或者使用与主流半导体处理技术兼容的技术。 描述制造开关的方法。 提供了两个和三个端子开关的一些示例性设计。 给出了一些示例性开关的结构特征和操作参数的描述。 这些开关预期与在基于计算机的系统中可操作的电路兼容。
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