公开(公告)号：US20110034668A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12907357

申请日：2010-10-19

申请人： Beng S. Ong ,  Hualong Pan ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Beng S. Ong ,  Hualong Pan ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： C08G75/06

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device, such as a thin film transistor containing a semiconductor of the Formula: wherein R, R′ and R″ are, for example, independently hydrogen, a suitable hydrocarbon, a suitable hetero-containing group, a halogen, or mixtures thereof; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 一种电子器件，例如含有下式的半导体的薄膜晶体管：其中R，R'和R“例如独立地为氢，合适的烃，合适的含杂基团，卤素或其混合物 ; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US07834132B2

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：US11586449

申请日：2006-10-25

申请人： Beng S. Ong ,  Hualong Pan ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Beng S. Ong ,  Hualong Pan ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： C08G75/00

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device, such as a thin film transistor containing a semiconductor of Formula/Structure wherein R, R′ and R″ are, for example, independently hydrogen, a suitable hydrocarbon, a suitable hetero-containing group, a halogen, or mixtures thereof; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 电子器件，例如含有式/结构的半导体的薄膜晶体，其中R，R'和R“例如独立地为氢，合适的烃，合适的含杂原子基团，卤素或其混合物 ; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US07718998B2

公开(公告)日：2010-05-18

申请号：US11638725

申请日：2006-12-14

申请人： Ping Liu ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Hualong Pan

发明人： Ping Liu ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Hualong Pan

IPC分类号： H01L51/00 ,  C08G61/12 ,  C08G75/00

CPC分类号： H01L51/0074 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

摘要： An electronic device, such as a thin film transistor, containing a semiconductor of Formula/Structure (I) wherein each R′ is independently at least one of hydrogen, and a suitable hydrocarbon; Ar is an aryl, inclusive of heteroaryl substituents; and M represents at least one thiophene based conjugated segment.

摘要翻译： 包含式/ I（I）的半导体的电子器件，例如薄膜晶体管，其中每个R'独立地为氢和合适的烃中的至少一种; Ar是芳基，包括杂芳基取代基; M代表至少一个噻吩基共轭链段。

公开(公告)号：US20080102559A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11586449

申请日：2006-10-25

申请人： Beng S. Ong ,  Hualong Pan ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Beng S. Ong ,  Hualong Pan ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device, such as a thin film transistor containing a semiconductor of Formula/Structure wherein R, R′ and R″ are, for example, independently hydrogen, a suitable hydrocarbon, a suitable hetero-containing group, a halogen, or mixtures thereof; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 电子器件，例如含有式/结构的半导体的薄膜晶体，其中R，R'和R“例如独立地为氢，合适的烃，合适的含杂基团，卤素或其混合物 的; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US08153755B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US12907357

申请日：2010-10-19

申请人： Beng S. Ong ,  Hualong Pan ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Beng S. Ong ,  Hualong Pan ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： C08G75/00

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device, such as a thin film transistor containing a semiconductor of the Formula: wherein R, R′ and R″ are, for example, independently hydrogen, a suitable hydrocarbon, a suitable hetero-containing group, a halogen, or mixtures thereof; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 一种电子器件，例如含有下式的半导体的薄膜晶体管：其中R，R'和R“例如独立地为氢，合适的烃，合适的含杂基团，卤素或其混合物 ; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US07820782B2

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：US11586448

申请日：2006-10-25

申请人： Beng S. Ong ,  Hualong Pan ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Beng S. Ong ,  Hualong Pan ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： C08G75/00

CPC分类号： C08G61/126 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/149 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3243 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0558

摘要： A polymer of the formula/structure wherein R, R′, and R″ are, for example, a suitable hydrocarbon, a halogen (halide) a hetero-containing group, or mixtures thereof; and n represents the number of repeating groups.

摘要翻译： 其中R，R'和R“为例如合适的烃，卤素（卤化物），杂含基团或其混合物的式/结构的聚合物; n表示重复基团的数目。

公开(公告)号：US20080146776A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11638725

申请日：2006-12-14

申请人： Ping Liu ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Hualong Pan

发明人： Ping Liu ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Hualong Pan

IPC分类号： C08G75/32 ,  C08L81/00 ,  B32B27/00 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L51/0074 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

摘要： An electronic device, such as a thin film transistor, containing a semiconductor of Formula/Structure (I) wherein each R′ is independently at least one of hydrogen, and a suitable hydrocarbon; Ar is an aryl, inclusive of heteroaryl substituents; and M represents at least one thiophene based conjugated segment.

摘要翻译： 包含式/ I（I）的半导体的电子器件，例如薄膜晶体管，其中每个R'独立地为氢和合适的烃中的至少一种; Ar是芳基，包括杂芳基取代基; M代表至少一个噻吩基共轭链段。

公开(公告)号：US20080103286A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11586448

申请日：2006-10-25

申请人： Beng S. Ong ,  Hualong Pan ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Beng S. Ong ,  Hualong Pan ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： C08G75/00

CPC分类号： C08G61/126 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/149 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3243 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0558

摘要： A polymer of the formula/structure wherein R, R′, and R″ are, for example, a suitable hydrocarbon, a halogen (halide) a hetero-containing group, or mixtures thereof; and n represents the number of repeating groups.

摘要翻译： 其中R，R'和R“为例如合适的烃，卤素（卤化物），杂含基团或其混合物的式/结构的聚合物; n表示重复基团的数目。

公开(公告)号：US07919574B2

公开(公告)日：2011-04-05

申请号：US12331571

申请日：2008-12-10

申请人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S Ong

发明人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S Ong

IPC分类号： C08G75/06 ,  C08G75/00

CPC分类号： C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A polymer comprising one or more types of repeat units, wherein the polymer includes a substituted thieno[3,2-b]thiophene component A and a different component B in the same type of repeat unit or in different types of repeat units, and wherein the polymer excludes a substituted or unsubstituted thieno[2,3-b]thiophene moiety. The polymer can be used as a semiconductor in electronics such as in organic thin film transistors.

摘要翻译： 包含一种或多种重复单元的聚合物，其中所述聚合物包括取代的噻吩并[3,2-b]噻吩组分A和相同类型的重复单元或不同类型的重复单元中的不同组分B，其中 该聚合物不包括取代或未取代的噻吩并[2,3-b]噻吩部分。 该聚合物可用作诸如有机薄膜晶体管的电子器件中的半导体。

公开(公告)号：US20100230670A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12791928

申请日：2010-06-02

申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： H01L51/30 ,  C07D487/02

CPC分类号： C08G61/124 ,  C08G61/126

摘要： An electronic device including a compound comprising at least one type of an optionally substituted indolocarbazole moiety and at least one divalent linkage.

摘要翻译： 包括包含至少一种类型的任选取代的吲哚咔唑部分和至少一种二价键的化合物的电子器件。