公开(公告)号：US20150380627A1

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：US14580486

申请日：2014-12-23

申请人： Qualcomm Technologies, Inc.

发明人： Arvin Emadi ,  Nicole D. Kerness ,  Arkadii V. Samoilov ,  Cheng-Wei Pei ,  Jerome C. Bhat ,  Kumar Nagarajan ,  Ken Wang

IPC分类号： H01L35/32

CPC分类号： G01J5/12 ,  G01J5/0285 ,  G01J5/0862 ,  G01J2005/068

摘要： A temperature sensing device and method for fabrication of the temperature sensing device are described that include a second temperature sensor disposed on and/or in the lid assembly. In an implementation, the temperature sensing device includes a substrate, a ceramic structure disposed on the substrate, a thermopile disposed on the substrate, a first temperature sensor disposed on the substrate, and a lid assembly disposed on the ceramic structure, where the lid assembly includes a base layer, a first filter layer disposed on a first side of the base layer, a first metal layer disposed on a second side of the base layer, a passivation layer disposed on the first metal layer, where the passivation layer includes at least one of a second metal layer, a via, a metal plate, or an epoxy ring, and a second temperature sensor disposed on and/or in the passivation layer.

摘要翻译： 描述了用于制造温度感测装置的温度感测装置和方法，其包括设置在盖组件上和/或盖组件中的第二温度传感器。 在一个实施方式中，温度感测装置包括衬底，设置在衬底上的陶瓷结构，设置在衬底上的热电堆，设置在衬底上的第一温度传感器和设置在陶瓷结构上的盖组件，其中盖组件 包括基层，设置在基层的第一侧上的第一过滤层，设置在基层的第二侧的第一金属层，设置在第一金属层上的钝化层，其中钝化层至少包括 第二金属层，通孔，金属板或环氧树脂环中的一个，以及设置在钝化层上和/或钝化层中的第二温度传感器。