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发明授权
Composition for the removal of sidewall residues 有权
标题翻译：用于去除侧壁残留物的组合物

公开(公告)号：US07531492B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US12133532

申请日：2008-06-05

申请人： Raimund Mellies , Marc Boerner , Lucia Arnóld , Andrea Barko , Rudolf Rhein

发明人： Raimund Mellies , Marc Boerner , Lucia Arnóld , Andrea Barko , Rudolf Rhein

IPC分类号： G03F7/42 , C25F3/12

CPC分类号： H01L21/02071 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D11/0047 , G03F7/423 , Y10S438/963

摘要： A composition for the production of semiconductors, comprising H2SiF6 and/or HBF4 in a total amount of 10-500 mg/kg, 1-17 % by weight of H2S04, 1-15% by weight of H202, optionally in combination with additives, in aqueous solution and a process of removing residual polymers using the composition.

摘要翻译： 用于生产半导体的组合物，其包含总量为10-500mg / kg的H 2 SiF 6和/或HBF 4，1-17重量％的H 2 SO 4，1-15重量％的H 2 O 2，任选与添加剂组合，并且使用该组合物除去残余聚合物的方法。