公开(公告)号：US20060086372A1

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：US10518463

申请日：2003-05-27

申请人： Raimund Mellies ,  Marc Boerner ,  Lucia Arnold ,  Andrea Barko ,  Rudolf Rhein

发明人： Raimund Mellies ,  Marc Boerner ,  Lucia Arnold ,  Andrea Barko ,  Rudolf Rhein

IPC分类号： B08B6/00

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  Y10S438/963

摘要： The present invention relates to a composition for the removal of so-called “sidewall residues” from metal surfaces, in particular from aluminium or aluminium-containing surfaces, in particular from aluminium or aluminium-containing surfaces, during the production of semiconductor elements.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于在半导体元件生产期间从金属表面，特别是铝或含铝表面，特别是铝或含铝表面除去所谓“侧壁残留物”的组合物。

公开(公告)号：US07531492B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US12133532

申请日：2008-06-05

申请人： Raimund Mellies ,  Marc Boerner ,  Lucia Arnóld ,  Andrea Barko ,  Rudolf Rhein

发明人： Raimund Mellies ,  Marc Boerner ,  Lucia Arnóld ,  Andrea Barko ,  Rudolf Rhein

IPC分类号： G03F7/42 ,  C25F3/12

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  Y10S438/963

摘要： A composition for the production of semiconductors, comprising H2SiF6 and/or HBF4 in a total amount of 10-500 mg/kg, 1-17 % by weight of H2S04, 1-15% by weight of H202, optionally in combination with additives, in aqueous solution and a process of removing residual polymers using the composition.

摘要翻译： 用于生产半导体的组合物，其包含总量为10-500mg / kg的H 2 SiF 6和/或HBF 4，1-17重量％的H 2 SO 4，1-15重量％的H 2 O 2，任选与添加剂组合， 并且使用该组合物除去残余聚合物的方法。

公开(公告)号：US20080280803A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US12133532

申请日：2008-06-05

申请人： Raimund MELLIES ,  Marc Boerner ,  Lucia Arnold ,  Andrea Barko ,  Rudolf Rhein

发明人： Raimund MELLIES ,  Marc Boerner ,  Lucia Arnold ,  Andrea Barko ,  Rudolf Rhein

IPC分类号： C11D1/755

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  Y10S438/963

摘要： The present invention relates to a composition for the removal of so-called sidewall residues from metal surfaces, in particular from aluminium or aluminium-containing surfaces, during the production of semiconductor elements.

摘要翻译： 本发明涉及在制造半导体元件期间从金属表面，特别是铝或含铝表面除去所谓的侧壁残留物的组合物。

公开(公告)号：US07417016B2

公开(公告)日：2008-08-26

申请号：US10518463

申请日：2003-05-27

申请人： Raimund Mellies ,  Marc Boerner ,  Lucia Arnold ,  Andrea Barko ,  Rudolf Rhein

发明人： Raimund Mellies ,  Marc Boerner ,  Lucia Arnold ,  Andrea Barko ,  Rudolf Rhein

IPC分类号： G03F7/42 ,  C25F3/12

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  Y10S438/963

摘要： The present invention relates to a composition for the removal of so-called “sidewall residues” from metal surfaces, in particular from aluminium or aluminium-containing surfaces, in particular from aluminium or aluminium-containing surfaces, during the production of semiconductor elements.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于在半导体元件生产期间从金属表面，特别是铝或含铝表面，特别是铝或含铝表面除去所谓“侧壁残留物”的组合物。