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    SELENIZATION OF PRECURSOR LAYER CONTAINING CULNS2 NANOPARTICLES
    2.
    发明申请
    SELENIZATION OF PRECURSOR LAYER CONTAINING CULNS2 NANOPARTICLES 失效
    含有CULNS2纳米粒子的前驱体层的释放

    公开(公告)号：US20120122268A1

    公开(公告)日：2012-05-17

    申请号：US13145016

    申请日：2010-01-21

    申请人： Rakesh Agrawal ,  Hugh Hillhouse ,  Qijie Guo

    发明人： Rakesh Agrawal ,  Hugh Hillhouse ,  Qijie Guo

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/36

    CPC分类号： H01L31/186 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    摘要： A method of fabrication of thin films for photovoltaic or electronic applications is provided. The method includes fabricating a nanocrystal precursor layer and selenizing the nanocrystal precursor layer in a selenium containing atmosphere. The nanocrystal precursor layer includes one of CuInS2, CuIn(Sy,Se1−y)2, CuGaS2, CuGa(Sy,Se1−y)2, Cu(InxGa1−x)S2, and Cu(InxGa1−x)(Sy,Se1−y)2 nanoparticles and combinations thereof, wherein 0≦x≦1 and 1≦y≦0.

    摘要翻译： 提供了制造用于光伏或电子应用的薄膜的方法。 该方法包括制造纳米晶体前体层并在含硒气氛中硒化纳米晶体前体层。 纳米晶体前体层包括CuInS2，CuIn（Sy，Se1-y）2，CuGaS2，CuGa（Sy，Se1-y）2，Cu（InxGa1-x）S2和Cu（InxGa1-x）（Sy，Se1 -y）2纳米颗粒及其组合，其中0＆lt; lE; x＆nlE; 1和1＆nlE; y＆nlE;

    METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR FILMS INCLUDING I2-II-IV-VI4 AND I2-(II,IV)-IV-VI4 SEMICONDUCTOR FILMS AND ELECTRONIC DEVICES INCLUDING THE SEMICONDUCTOR FILMS
    3.
    发明申请
    METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR FILMS INCLUDING I2-II-IV-VI4 AND I2-(II,IV)-IV-VI4 SEMICONDUCTOR FILMS AND ELECTRONIC DEVICES INCLUDING THE SEMICONDUCTOR FILMS 审中-公开
    形成包含I2-II-IV-VI4和I2-（II，IV）-IV-VI4半导体膜和包括半导体膜的电子器件的半导体膜的方法

    公开(公告)号：US20140220728A1

    公开(公告)日：2014-08-07

    申请号：US14000183

    申请日：2012-02-17

    申请人： Hugh Hillhouse ,  Wooseok Ki

    发明人： Hugh Hillhouse ,  Wooseok Ki

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/072 ,  Y02E10/50

    摘要： Embodiments of the present invention generally include methods for forming semiconductor films having nominal I2-II-IV-VI4 stoichiometry, such as CZTS or CZTSSe, using a solution of including sources of the I, II, IV, and VI elements in a liquid solvent. Precursors may be mixed in the solvent to form the solution. Metal halide salts may be used as precursors in some examples. The solution may be coated onto a substrate and annealed to yield the semiconductor film. In some examples, the source of the ‘I’ and ‘IV’ elements may contain the elements in a +2 oxidation state, while the semiconductor film may contain the ‘I’ element in a +1 oxidation state and the ‘IV’ element in a +4 oxidation state. Examples may be used to provide I2-(II,IV)-IV-VI4 films.

    摘要翻译： 本发明的实施方案通常包括使用包含I，II，IV和VI元素的源在液体溶剂中的溶液形成具有标称I2-II-IV-VI4化学计量的半导体膜的方法，例如CZTS或CZTSSe 。 前体可以在溶剂中混合以形成溶液。 在一些实例中，金属卤化物盐可用作前体。 该溶液可以涂覆在基材上并退火以产生半导体膜。 在一些实例中，“I”和“IV”元素的源可以包含+2氧化态的元素，而半导体膜可以含有+1氧化态的“I”元素，“IV”元素 处于+4氧化态。 可以使用实例来提供I2-（II，IV）-IV-VI4膜。