Transistor antifuse device
    2.
    发明授权
    Transistor antifuse device 失效
    晶体管反熔丝装置

    公开(公告)号:US07679426B2

    公开(公告)日:2010-03-16

    申请号:US11039157

    申请日:2005-01-19

    IPC分类号: H01H37/76 H01H85/00

    CPC分类号: G11C17/16

    摘要: In one embodiment, a method provides a bipolar junction transistor that is coupled to a first power supply. A second power supply is utilized to turn on the bipolar junction transistor. And, the bipolar junction transistor is overdriven.

    摘要翻译: 在一个实施例中,一种方法提供耦合到第一电源的双极结型晶体管。 利用第二电源来接通双极结型晶体管。 而且,双极结晶体管是过驱动的。