Method for generating a deep N-well pattern for an integrated circuit design
    5.
    发明授权
    Method for generating a deep N-well pattern for an integrated circuit design 失效
    用于生成用于集成电路设计的深N阱图案的方法

    公开(公告)号:US08146037B2

    公开(公告)日:2012-03-27

    申请号:US12544149

    申请日:2009-08-19

    IPC分类号: G06F17/50

    CPC分类号: G06F17/5068

    摘要: A method for the design and layout for a patterned deep N-well. A tile is specified as a fundamental building block for the deep N-well pattern. The tile comprises a first element on a first layer and may comprise a second element on a second layer. A two dimensional region is covered with an array of contiguous tiles, with the elements on each layer connecting with elements of adjacent tiles to form extended shapes. The array may be converted to a collection of sub-arrays through the removal of tiles. The array or collection of sub-arrays may be merged to produce a first layer pattern and second layer pattern. Design rule checks may be applied to verify the pattern. The first layer shapes and second layer shapes may be edited. The first layer shapes and the second layer shapes may then be combined to produce a deep N-well pattern.

    摘要翻译: 一种用于图案化深N阱的设计和布局的方法。 将瓷砖指定为深N型图案的基本构建块。 瓦片包括在第一层上的第一元件,并且可以包括在第二层上的第二元件。 二维区域覆盖有连续瓦片阵列,每层上的元素与相邻瓦片的元素连接以形成延伸形状。 阵列可以通过去除瓦片而转换为子阵列的集合。 子阵列的阵列或集合可以被合并以产生第一层图案和第二层图案。 可以应用设计规则检查来验证模式。 可以编辑第一层形状和第二层形状。 然后可以组合第一层形状和第二层形状以产生深N阱图案。

    METHOD FOR GENERATING A DEEP N-WELL PATTERN FOR AN INTEGRATED CIRCUIT DESIGN
    6.
    发明申请
    METHOD FOR GENERATING A DEEP N-WELL PATTERN FOR AN INTEGRATED CIRCUIT DESIGN 失效
    用于生成用于集成电路设计的深层N阱图案的方法

    公开(公告)号:US20090313591A1

    公开(公告)日:2009-12-17

    申请号:US12544149

    申请日:2009-08-19

    IPC分类号: G06F17/50

    CPC分类号: G06F17/5068

    摘要: A method for the design and layout for a patterned deep N-well. A tile is specified as a fundamental building block for the deep N-well pattern. The tile comprises a first element on a first layer and may comprise a second element on a second layer. A two dimensional region is covered with an array of contiguous tiles, with the elements on each layer connecting with elements of adjacent tiles to form extended shapes. The array may be converted to a collection of sub-arrays through the removal of tiles. The array or collection of sub-arrays may be merged to produce a first layer pattern and second layer pattern. Design rule checks may be applied to verify the pattern. The first layer shapes and second layer shapes may be edited. The first layer shapes and the second layer shapes may then be combined to produce a deep N-well pattern.

    摘要翻译: 一种用于图案化深N阱的设计和布局的方法。 将瓷砖指定为深N型图案的基本构建块。 瓦片包括在第一层上的第一元件,并且可以包括在第二层上的第二元件。 二维区域覆盖有连续瓦片阵列,每层上的元素与相邻瓦片的元素连接以形成延伸形状。 阵列可以通过去除瓦片而转换为子阵列的集合。 子阵列的阵列或集合可以被合并以产生第一层图案和第二层图案。 可以应用设计规则检查来验证模式。 可以编辑第一层形状和第二层形状。 然后可以组合第一层形状和第二层形状以产生深N阱图案。

    Method for generating a deep N-well pattern for an integrated circuit design
    7.
    发明授权
    Method for generating a deep N-well pattern for an integrated circuit design 有权
    用于生成用于集成电路设计的深N阱图案的方法

    公开(公告)号:US07645673B1

    公开(公告)日:2010-01-12

    申请号:US10772029

    申请日:2004-02-03

    IPC分类号: H01L21/336 G06F17/50

    CPC分类号: G06F17/5068

    摘要: A method for the design and layout for a patterned deep N-well. A Tile is specified as a fundamental building block for the deep N-well pattern. The tile comprises a first element on a first layer and may comprise a second element on a second layer. A two dimensional region is covered with an array of contiguous tiles, with the elements on each layer connecting with elements of adjacent tiles to form extended shapes. The array may be converted to a collection of sub-arrays through the removal of tiles. The array or collection of sub-arrays may be merged to produce a first layer pattern and second layer pattern. Design rule checks may be applied to verify the pattern. The first layer shapes and second layer shapes may be edited. The first layer shapes and the second layer shapes may then be combined to produce a deep N-well pattern.

    摘要翻译: 一种用于图案化深N阱的设计和布局的方法。 Tile被指定为深N井模式的基本构建块。 瓦片包括在第一层上的第一元件,并且可以包括在第二层上的第二元件。 二维区域覆盖有连续瓦片阵列,每层上的元素与相邻瓦片的元素连接以形成延伸形状。 阵列可以通过去除瓦片而转换为子阵列的集合。 子阵列的阵列或集合可以被合并以产生第一层图案和第二层图案。 可以应用设计规则检查来验证模式。 可以编辑第一层形状和第二层形状。 然后可以组合第一层形状和第二层形状以产生深N阱图案。