公开(公告)号：US07176066B2

公开(公告)日：2007-02-13

申请号：US11132851

申请日：2005-05-19

申请人： Rolf Brenner ,  Tilo Marcus Buehler ,  Robert Graham Clark ,  Andrew Steven Dzurak ,  Alexander Rudolf Hamilton ,  Nancy Ellen Lumpkin ,  Rita Paytricia McKinnon

发明人： Rolf Brenner ,  Tilo Marcus Buehler ,  Robert Graham Clark ,  Andrew Steven Dzurak ,  Alexander Rudolf Hamilton ,  Nancy Ellen Lumpkin ,  Rita Paytricia McKinnon

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/335 ,  H01L21/425

CPC分类号： G06N99/002 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/266 ,  H01L29/66439 ,  H01L49/006

摘要： A silicon substrate is coated with one or more layers of resist. First and second circuit patterns are exposed in sequence, where the second pattern crosses the first pattern. The patterned resist layers are developed to open holes which extend down to the substrate only where the patterns cross over each other. These holes provide a mask suitable for implanting single phosphorous ions in the substrate, for a solid state quantum computer. Further development of the resist layers provides a mask for the deposition of nanoelectronic circuits, such as single electron transistors, aligned to the phosphorous ions.

摘要翻译： 硅衬底涂覆有一层或多层抗蚀剂。 顺序地暴露第一和第二电路图案，其中第二图案与第一图案交叉。 图案化的抗蚀剂层被显影以打开仅在图案彼此交叉的位置向下延伸到基底的孔。 这些孔提供了适用于在固态量子计算机中将衬底中的单个磷离子注入的掩模。 抗蚀剂层的进一步开发提供了用于沉积与磷离子对准的纳米电子电路（例如单电子晶体管）的掩模。