公开(公告)号：US4994420A

公开(公告)日：1991-02-19

申请号：US420172

申请日：1989-10-12

申请人： Ronald H. Baney ,  Debora F. Bergstrom ,  Bruce H. Justice

发明人： Ronald H. Baney ,  Debora F. Bergstrom ,  Bruce H. Justice

IPC分类号： H01L39/24

CPC分类号： H01L39/2451 ,  Y10S505/725 ,  Y10S505/737

摘要： The specification discloses forming ceramic films, and especially high temperature superconductor films, by dissolving ceramic precursor metal iodides in organic solvents, applying them to a substrate, evaporating the solvent and pyrolyzing and annealing the resulting ceramic precursor metal iodide films.

摘要翻译： 该说明书公开了通过将陶瓷前体金属碘化物溶解在有机溶剂中，将其施加到基底上，蒸发溶剂并热解和退火所得到的陶瓷前体金属碘化物膜来形成陶瓷膜，特别是高温超导体膜。

公开(公告)号：US4514440A

公开(公告)日：1985-04-30

申请号：US560473

申请日：1983-12-12

申请人： Bruce H. Justice ,  Robert F. Aycock

发明人： Bruce H. Justice ,  Robert F. Aycock

IPC分类号： C30B31/02 ,  H01L21/225 ,  B05D5/12 ,  B05D3/12

CPC分类号： H01L21/2255 ,  C30B31/02 ,  H01L21/2252 ,  Y10S438/92

摘要： A single step method for boron dopant diffusion implementing both deposition and drive-in diffusions in one furnace process is provided. By using a spin-on dopant in a diffusion furnace with pyrogenic steam and thermal ramping capabilities, sheet resistivities and penetrations to a precision and accuracy of 4% with one furnace step are achievable. The one step method disclosed circumvents the use of two furnace processes to achieve a typical p-type diffusion which requires a deposition in a furnace set at one temperature followed by a drive in diffusion in a furnace set at a second temperature after deglazing in a hydrofluoric acid. Also attainable by the one step process disclosed are resistivity uniformities better than those with the two furnace processes.

摘要翻译： 提供了在一个炉工艺中实现沉积和驱入扩散的硼掺杂剂扩散的单步法。 通过在具有热解蒸汽和热倾斜能力的扩散炉中使用旋涂掺杂剂，可以实现片状电阻率和穿透精度，精度为4％，具有一个炉步骤。 所公开的一步法避免了使用两个炉工艺来实现典型的p型扩散，其需要在设置在一个温度的炉中沉积，随后在设置在氢氟酸中的第一温度之后的第二温度中的炉中进行扩散驱动 酸。 通过所公开的一步工艺也可以获得比具有两个炉工艺的电阻率均匀性更好的电阻率均匀性。