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公开(公告)号：US4241425A
公开(公告)日：1980-12-23
申请号：US10839
申请日：1979-02-09
IPC分类号： G11C11/34 , G11C11/406 , G11C11/4063 , G11C11/408 , G11C11/40
CPC分类号： G11C11/408 , G11C11/406 , G11C11/4063
摘要： An MOS dynamic random access memory (RAM) includes an array of memory cells arranged in rows and columns. The array is divided into two or more sub-arrays. In an operating cycle where a cell is being accessed for reading and/or writing, only the sub-array containing the accessed cell is fully selected while the other sub-arrays are partially selected. A fully selected sub-array is one in which both a row and a column are selected, whereas in a partially selected sub-array, only a row is selected. In the partially selected sub-array where only refreshing of the cells in the selected row takes place, the column decoders and drivers remain inactive throughout the memory cycle.
摘要翻译： MOS动态随机存取存储器（RAM）包括以行和列排列的存储器单元阵列。 阵列分为两个或更多个子阵列。 在读取和/或写入单元格的操作周期中，只有包含被访问单元格的子阵列被完全选择，而其他子阵列被部分选择。 完全选择的子数组是选择行和列的子数组，而在部分选择的子数组中，只选择一行。 在部分选择的子阵列中，只有刷新所选行中的单元格，列解码器和驱动器在整个存储器周期中保持不活动。
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公开(公告)号：US4274013A
公开(公告)日：1981-06-16
申请号：US10740
申请日：1979-02-09
IPC分类号： G11C7/00 , C07D233/60 , G11C11/34 , G11C11/4063 , G11C11/4091
CPC分类号： G11C11/4063 , G11C11/4091
摘要： An improved field effect transistor sense amplifier uses a cross-coupled pair of first transistors (Q1, Q2) with separate third and fourth transistors (Q3, Q4) connected by the sources (12, 14) to each of one of cross-coupled terminals (12, 14) of the cross-coupled pair (Q1, Q2). Read circuitry (Q7, Q8) is connected directly to the cross-coupled terminals (12, 14) of the cross-coupled pair (Q1, Q2). Write circuitry (Q9, Q10) is connected to the drains (18, 22) of the third and fourth transistors (Q3, Q4).
摘要翻译： 改进的场效应晶体管读出放大器使用具有由源极（12,14）连接到交叉耦合端子中的每一个的单独的第三和第四晶体管（Q3，Q4）的交叉耦合的第一晶体管（Q1，Q2） （Q1，Q2）的交叉耦合对（12,14）。 读取电路（Q7，Q8）直接连接到交叉耦合对（Q1，Q2）的交叉耦合端子（12,14）。 写入电路（Q9，Q10）连接到第三和第四晶体管（Q3，Q4）的漏极（18,22）。
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