公开(公告)号：US20050061251A1

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：US10932925

申请日：2004-09-02

申请人： Ronghua Wei ,  Thomas Booker ,  Christopher Rincon ,  James Arps

发明人： Ronghua Wei ,  Thomas Booker ,  Christopher Rincon ,  James Arps

IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C14/26 ,  C23C14/30 ,  C23C14/32 ,  C23C14/48 ,  C23C16/00 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C14/48 ,  C23C14/26 ,  C23C14/30 ,  C23C14/32 ,  H01J37/32412

摘要： This invention is a method for metal plasma ion implantation and metal plasma ion deposition, comprising: providing a vacuum chamber with at least one workpiece having a surface positioned on a worktable within the vacuum chamber; reducing the pressure in the vacuum chamber; generating a plasma of metal ions within the vacuum chamber, applying a negative bias to the worktable to thereby accelerate metal ions from the plasma toward at least one workpiece to thereby either implant metal ions into or deposit metal ions onto the workpiece or both. This invention includes an apparatus for metal ion implantation and metal ion plasma deposition, comprising: a vacuum chamber, a metal plasma generator within the vacuum chamber, and at least one worktable within the vacuum chamber.

摘要翻译： 本发明是一种用于金属等离子体离子注入和金属等离子体离子沉积的方法，包括：提供具有至少一个工件的真空室，所述工件具有位于所述真空室内的工作台上的表面; 降低真空室内的压力; 在真空室内产生金属离子等离子体，向工作台施加负偏压，从而将金属离子从等离子体加速至至少一个工件，从而将金属离子注入或将金属离子沉积到工件上或两者上。 本发明包括一种用于金属离子注入和金属离子等离子体沉积的装置，包括：真空室，真空室内的金属等离子体发生器和真空室内的至少一个工作台。