公开(公告)号：US08530978B1

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：US13312406

申请日：2011-12-06

申请人： Rongming Chu ,  Zijian “Ray” Li ,  Karim S. Boutros ,  Shawn Burnham

发明人： Rongming Chu ,  Zijian “Ray” Li ,  Karim S. Boutros ,  Shawn Burnham

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786

摘要： A field effect transistor (FET) having a source contact to a channel layer, a drain contact to the channel layer, and a gate contact on a barrier layer over the channel layer, the FET including a dielectric layer on the barrier layer between the source contact and the drain contact and over the gate contact, and a field plate on the dielectric layer, the field plate connected to the source contact and extending over a space between the gate contact and the drain contact and the field plate comprising a sloped sidewall in the space between the gate contact and the drain contact.

摘要翻译： 具有到沟道层的源极接触的场效应晶体管（FET），沟道层的漏极接触以及沟道层上的阻挡层上的栅极接触，所述FET包括在源极之间的阻挡层上的介电层 接触和漏极接触以及栅极接触，以及介电层上的场板，场板连接到源极接触并在栅极接触和漏极接触之间的空间上延伸，场板包括倾斜的侧壁 栅极接触和漏极接触之间的空间。