公开(公告)号：US20140147774A1

公开(公告)日：2014-05-29

申请号：US14170603

申请日：2014-02-01

申请人： Samsung Display Co., LTD.

发明人： Yeon-Ju KIM ,  Sung-Jae MOON ,  Yun-Jung CHO ,  Bum-Ki BAEK ,  Kwang-Hoon LEE ,  Byoung-Sun NA ,  Sung-Hoon YANG ,  Yoon-Jang KIM ,  Eun CHO

IPC分类号： G03F1/38

CPC分类号： G03F1/38 ,  G03F1/00 ,  G03F1/14 ,  G03F1/36 ,  H01L29/41733

摘要： A photomask includes; a source electrode pattern including; a first electrode portion which extends in a first direction, a second electrode portion which extends in the first direction and is substantially parallel to the first electrode portion, and a third electrode portion which extends from a first end of the first electrode portion to a first end of the second electrode portion and is rounded with a first curvature, a drain electrode pattern which extends in the first direction and is disposed between the first electrode portion and the second electrode portion, wherein an end of the drain electrode pattern is rounded to correspond to the third electrode portion; and a channel region pattern which is disposed between the source electrode pattern and the drain electrode pattern, wherein a center location of the first curvature and a center location of the rounded portion of the end of the drain electrode pattern are the same.

摘要翻译： 光掩模包括 源电极图案，包括： 沿第一方向延伸的第一电极部分，沿第一方向延伸并基本上平行于第一电极部分的第二电极部分，以及从第一电极部分的第一端延伸到第一电极部分的第三电极部分， 并且以第一曲率圆形化，漏电极图案，其沿第一方向延伸并且设置在第一电极部分和第二电极部分之间，其中漏极电极图案的端部被圆化以对应 到所述第三电极部分; 以及设置在源极电极图案和漏极电极图案之间的沟道区域图案，其中第一曲率的中心位置和漏极电极图案的端部的圆形部分的中心位置相同。