公开(公告)号：US09335601B2

公开(公告)日：2016-05-10

申请号：US13944485

申请日：2013-07-17

Applicant: Samsung Display Co., Ltd.

Inventor： Jong-Hyun Seo ,  Mun-Pyo Hong ,  Nam-Seok Roh

IPC: H01L29/26 ,  H01L29/49 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/1368 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908

Abstract: A thin film transistor substrate for a liquid crystal display device includes a substrate, a metal layer on the substrate, and an aluminum complex oxide layer on the metal layer. The aluminum complex oxide layer comprises at least one selected from the group consisting of zirconium, tungsten, chromium and molybdenum. A passivation layer is formed on the aluminum complex oxide layer through a dipping process.

Abstract translation: 一种用于液晶显示装置的薄膜晶体管衬底，包括衬底，衬底上的金属层和金属层上的铝复合氧化物层。 铝复合氧化物层包括选自锆，钨，铬和钼中的至少一种。 通过浸渍工艺在铝复合氧化物层上形成钝化层。