公开(公告)号：US20150178155A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：US14580815

申请日：2014-12-23

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Namshik KIM ,  Tae-Hwan KIM ,  Daewook KIM ,  Biwoong CHUNG ,  Junjin KONG

IPC: G06F11/10 ,  G11C29/52

CPC classification number: G06F11/1012 ,  G11C11/419

Abstract: A storage device is provided which includes an ECC circuit. At a write operation, the ECC circuit generates a CRC (cyclic redundancy check) parity corresponding to data and generates an ECC (error correction code) parity corresponding to the data using an error correction code. At a read operation about the data stored in the at least one nonvolatile memory device, the ECC circuit corrects an error of the data using the CRC parity and the ECC parity.

Abstract translation: 提供了一种包括ECC电路的存储装置。 在写入操作中，ECC电路产生与数据相对应的CRC（循环冗余校验）奇偶校验，并使用纠错码产生对应于数据的ECC（纠错码）奇偶校验。 在关于存储在至少一个非易失性存储器件中的数据的读取操作中，ECC电路使用CRC奇偶校验和ECC奇偶校验校正数据的错误。