公开(公告)号：US08912063B2

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：US13829761

申请日：2013-03-14

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Jin-Bum Kim ,  Ha-Kyu Seong

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/66545

Abstract: A method for fabricating a semiconductor device is provided. The method includes forming a gate pattern which intersects a fin-type active pattern protruding upward from a device isolation layer. A first blocking pattern is formed on a portion of the fin-type active pattern, which does not overlap the gate pattern. Side surfaces of the portion of the fin-type active pattern are exposed. A semiconductor pattern is formed on the exposed side surfaces of the portion of the fin-type active pattern after the forming of the first blocking pattern.

Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括形成与从器件隔离层向上突出的翅片型有源图案相交的栅极图案。 第一阻挡图案形成在翅片型有源图案的不与栅极图案重叠的部分上。 翅片型有源图案部分的侧面露出。 在形成第一阻挡图案之后，在鳍型有源图案的部分的露出侧表面上形成半导体图案。

公开(公告)号：US09324623B1

公开(公告)日：2016-04-26

申请号：US14554133

申请日：2014-11-26

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： Jin-Bum Kim ,  Ha-Kyu Seong

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/285 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1104

Abstract: Provided is a method of manufacturing a semiconductor device. The method of manufacturing the semiconductor includes preparing a substrate on which a first region and a second region are defined, forming a first active fin and a second active fin in the first and second regions, respectively, forming a first gate structure and a second gate structure on the substrate in a direction that crosses the first and second active fins, forming a first recess in the first active fin that is adjacent to one side surface of the first gate structure, forming a first epitaxial layer in the first recess, forming a first silicide layer on the first epitaxial layer, forming a second recess in the second active fin that is adjacent to one side surface of the second gate structure, and forming a second silicide layer in the second recess, wherein the second silicide layer includes nickel (Ni) and platinum (Pt).

Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法。 制造半导体的方法包括制备其上限定了第一区域和第二区域的基板，分别在第一和第二区域中形成第一有源鳍片和第二有源鳍片，形成第一栅极结构和第二栅极 在与第一和第二活性鳍片交叉的方向上在衬底上形成结构，在第一有源鳍片中形成与第一栅极结构的一个侧表面相邻的第一凹槽，在第一凹槽中形成第一外延层， 在所述第一外延层上形成第一硅化物层，在所述第二有源鳍中形成与所述第二栅极结构的一个侧表面相邻的第二凹槽，以及在所述第二凹槽中形成第二硅化物层，其中所述第二硅化物层包括镍 Ni）和铂（Pt）。