公开(公告)号：US20150194233A1

公开(公告)日：2015-07-09

申请号：US14588734

申请日：2015-01-02

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Seong-jun JEONG ,  Seong-jun PARK ,  Hyeon-jin SHIN ,  Yea-hyun GU ,  Hyoung-sub KIM ,  Jae-hyun YANG

IPC: H01B1/04 ,  H01B13/06 ,  C23C16/02 ,  C23C16/455 ,  H01L29/16 ,  C23C16/06

CPC classification number: H01B1/04 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7781 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/30

Abstract: Example embodiments relate to a stacking structure having a material layer formed on a graphene layer, and a method of forming the material layer on the graphene layer. In the stacking structure, when the material layer is formed on the graphene layer by using an ALD method, an intermediate layer as a seed layer may be formed on the graphene layer by using a linear type precursor.

Abstract translation: 示例性实施例涉及具有在石墨烯层上形成的材料层的堆叠结构，以及在石墨烯层上形成材料层的方法。 在堆叠结构中，当通过使用ALD方法在石墨烯层上形成材料层时，可以通过使用线型前体在石墨烯层上形成作为种子层的中间层。