公开(公告)号：US09070449B2

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：US13871528

申请日：2013-04-26

Applicant: SanDisk Technologies, Inc.

Inventor： Nian Niles Yang ,  Uday Chandrasekhar ,  Yichao Huang ,  Alexandra Bauche ,  William S. Wu

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/06 ,  G11C8/14 ,  G11C16/34 ,  G11C29/02 ,  G11C29/00 ,  G11C29/12

CPC classification number: G11C16/06 ,  G11C8/14 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3495 ,  G11C29/025 ,  G11C29/804 ,  G11C29/82 ,  G11C2029/1202

Abstract: In a flash memory, erase blocks containing shorted or broken word lines may be used, at least in part, to store user data. Such blocks may use different parameters to those used by non-defective blocks, may be subject to different wear leveling, and may store data selected to reduce the number of access operations.

Abstract translation: 在闪速存储器中，可以使用包含短路或断开的字线的擦除块，至少部分地用于存储用户数据。 这样的块可以使用与非缺陷块使用的参数不同的参数，可能会遭受不同的磨损均衡，并且可以存储所选择的数据以减少访问操作的数量。

公开(公告)号：US20140321202A1

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：US13871528

申请日：2013-04-26

Applicant: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： Nian Niles Yang ,  Uday Chandrasekhar ,  Yichao Huang ,  Alexandra Bauche ,  William S. Wu

IPC: G11C16/06

CPC classification number: G11C16/06 ,  G11C8/14 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3495 ,  G11C29/025 ,  G11C29/804 ,  G11C29/82 ,  G11C2029/1202

Abstract: In a flash memory, erase blocks containing shorted or broken word lines may be used, at least in part, to store user data. Such blocks may use different parameters to those used by non-defective blocks, may be subject to different wear leveling, and may store data selected to reduce the number of access operations.

Abstract translation: 在闪速存储器中，可以使用包含短路或断开的字线的擦除块，至少部分地用于存储用户数据。 这样的块可以使用与非缺陷块使用的参数不同的参数，可能会遭受不同的磨损均衡，并且可以存储所选择的数据以减少访问操作的数量。