公开(公告)号：US20110042743A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12916653

申请日：2010-11-01

申请人： Sanford CHU ,  Yisuo LI ,  Guowei ZHANG ,  Purakh Raj VERMA

发明人： Sanford CHU ,  Yisuo LI ,  Guowei ZHANG ,  Purakh Raj VERMA

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7835 ,  H01L29/404 ,  H01L29/456 ,  H01L29/49 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7846

摘要： First example embodiments comprise forming a stress layer over a MOS transistor (such as a LDMOS Tx) comprised of a channel and first, second and third junction regions. The stress layer creates a stress in the channel and the second junction region of the Tx. Second example embodiments comprise forming a MOS FET and at least a dummy gate over a substrate. The MOS is comprised of a gate, channel, source, drain and offset drain. At least one dummy gate is over the offset drain. A stress layer is formed over the MOS and the dummy gate. The stress layer and the dummy gate improve the stress in the channel and offset drain region

摘要翻译： 第一示例实施例包括在由沟道和第一，第二和第三结区域构成的MOS晶体管（例如LDMOS Tx）上形成应力层。 应力层在通道和Tx的第二结区产生应力。 第二示例性实施例包括在衬底上形成MOS FET和至少一个虚拟栅极。 MOS由栅极，沟道，源极，漏极和漏极漏极组成。 至少一个虚拟栅极位于偏置漏极之上。 在MOS和虚拟栅极上形成应力层。 应力层和虚拟栅极改善了通道和偏移漏极区域的应力

公开(公告)号：US20090072310A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US11855168

申请日：2007-09-14

申请人： Jeoung Mo KOO ,  Purakh Raj VERMA ,  Sanford CHU ,  Chunlin ZHU ,  Yisuo LI

发明人： Jeoung Mo KOO ,  Purakh Raj VERMA ,  Sanford CHU ,  Chunlin ZHU ,  Yisuo LI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/105 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/7833

摘要： A high voltage device includes a substrate with a device region defined thereon. A gate stack is disposed on the substrate in the device region. A channel region is located in the substrate beneath the gate stack, while a first diffusion region is located in the substrate on a first side of the gate stack. A first isolation structure in the substrate, located on the first side of the gate stack, separates the channel and the first diffusion region. The high voltage device also includes a first drift region in the substrate coupling the channel to the first diffusion region, wherein the first drift region comprises a non-uniform depth profile conforming to a profile of the first isolation structure.

摘要翻译： 高压器件包括其上限定有器件区域的衬底。 栅极堆叠设置在器件区域中的衬底上。 沟道区域位于栅堆叠下方的衬底中，而第一扩散区位于栅层叠的第一侧上的衬底中。 位于栅极堆叠的第一侧的衬底中的第一隔离结构分离通道和第一扩散区域。 高电压装置还包括在衬底中的第一漂移区域，其将沟道耦合到第一扩散区域，其中第一漂移区域包括符合第一隔离结构的轮廓的不均匀的深度分布。

公开(公告)号：US20110079850A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：US12964753

申请日：2010-12-10

申请人： Jeoung Mo KOO ,  Purakh Raj VERMA ,  Sanford CHU ,  Chunlin ZHU ,  Yisuo LI

发明人： Jeoung Mo KOO ,  Purakh Raj VERMA ,  Sanford CHU ,  Chunlin ZHU ,  Yisuo LI

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/105 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/7833

摘要： A high voltage device includes a substrate with a device region defined thereon. A gate stack is disposed on the substrate in the device region. A channel region is located in the substrate beneath the gate stack, while a first diffusion region is located in the substrate on a first side of the gate stack. A first isolation structure in the substrate, located on the first side of the gate stack, separates the channel and the first diffusion region. The high voltage device also includes a first drift region in the substrate coupling the channel to the first diffusion region, wherein the first drift region comprises a non-uniform depth profile conforming to a profile of the first isolation structure.

摘要翻译： 高压器件包括其上限定有器件区域的衬底。 栅极堆叠设置在器件区域中的衬底上。 沟道区域位于栅堆叠下方的衬底中，而第一扩散区位于栅层叠的第一侧上的衬底中。 位于栅极堆叠的第一侧的衬底中的第一隔离结构分离通道和第一扩散区域。 高电压装置还包括在衬底中的第一漂移区域，其将沟道耦合到第一扩散区域，其中第一漂移区域包括符合第一隔离结构的轮廓的不均匀的深度分布。