公开(公告)号：US20090185942A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：US12315520

申请日：2008-12-04

申请人： Sang Hyouk Choi, SR. ,  Yeonjoon Park ,  Sang-Hyon Chu ,  James R. Elliott ,  Glen C. King ,  Jae-Woo Kim ,  Peter T. Lillehei ,  Diane M. Stoakley

发明人： Sang Hyouk Choi, SR. ,  Yeonjoon Park ,  Sang-Hyon Chu ,  James R. Elliott ,  Glen C. King ,  Jae-Woo Kim ,  Peter T. Lillehei ,  Diane M. Stoakley

IPC分类号： B22F1/00

CPC分类号： C22C1/04 ,  B22F2998/00 ,  B22F1/0018

摘要： A novel method to prepare an advanced thermoelectric material has hierarchical structures embedded with nanometer-sized voids which are key to enhancement of the thermoelectric performance. Solution-based thin film deposition technique enables preparation of stable film of thermoelectric material and void generator (voigen). A subsequent thermal process creates hierarchical nanovoid structure inside the thermoelectric material. Potential application areas of this advanced thermoelectric material with nanovoid structure are commercial applications (electronics cooling), medical and scientific applications (biological analysis device, medical imaging systems), telecommunications, and defense and military applications (night vision equipments).

摘要翻译： 制备高级热电材料的新方法具有嵌入纳米尺寸空隙的分层结构，这是提高热电性能的关键。 基于溶液的薄膜沉积技术使得能够制备出热电材料和空穴发生器（voigen）的稳定膜。 随后的热过程在热电材料内部产生分级纳米结构。 这种具有纳米结构的先进热电材料的潜在应用领域是商业应用（电子冷却），医学和科学应用（生物分析装置，医学成像系统），电信以及国防和军事应用（夜视设备）。