公开(公告)号：US20170012039A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：US15114201

申请日：2014-09-08

申请人： Satoru KAMEYAMA ,  Shinya IWASAKI ,  Yuki HORIUCHI ,  Shuhei OKI

发明人： Satoru KAMEYAMA ,  Shinya IWASAKI ,  Yuki HORIUCHI ,  Shuhei OKI

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/8222 ,  H01L29/06 ,  H01L21/324 ,  H01L29/10 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/425 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8611

摘要： A semiconductor device, in which, in a density distribution of first conductivity type impurities in the first conductivity type region measured along a thickness direction of the semiconductor substrate, a local maximum value N1, a local minimum value N2, a local maximum value N3, and a density N4 are formed in this order from front surface side, a relationship of N1>N3>N2>N4 is satisfied, a relationship of N3/10>N2 is satisfied, and a distance “a” from the surface to the depth having the local maximum value N1 is larger than twice a distance “b” from the depth having the local maximum value N1 to the depth having the local minimum N2.

摘要翻译： 一种半导体器件，其中沿着半导体衬底的厚度方向测量的第一导电类型区域中的第一导电类型杂质的密度分布为局部最大值N1，局部最小值N2，局部最大值N3， 并且从表面侧依次形成密度N4，满足N1> N3> N2> N4的关系，满足N3 / 10> N2的关系，并且从表面到深度的距离“a” 具有局部最大值N1的距离大于距离具有局部最大值N1的深度到具有局部最小值N2的深度的距离“b”的两倍。

公开(公告)号：US20140145239A1

公开(公告)日：2014-05-29

申请号：US14086301

申请日：2013-11-21

申请人： Shuhei OKI ,  Tsuyoshi NISHIWAKI

发明人： Shuhei OKI ,  Tsuyoshi NISHIWAKI

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/66348 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7397

摘要： A manufacturing method for a semiconductor device including a drift layer; a body layer contacting a front surface of the drift layer; an emitter layer provided on a portion of a front surface of the body layer and exposed on the front surface of the substrate; a buffer layer contacting a back surface of the drift layer; a collector layer contacting a back surface of the buffer layer and exposed on a back surface of the substrate; and a gate electrode facing, via an insulator, the body layer in an area where the body layer separates the emitter layer from the drift layer, includes preparing a wafer that includes a first layer, and a second layer layered on a back surface of the first layer and having a higher polycrystalline silicon concentration than the first layer, and forming the buffer layer by implanting and diffusing ions in the second layer.

摘要翻译： 一种包括漂移层的半导体器件的制造方法; 接触漂移层前表面的体层; 发射极层，设置在所述主体层的前表面的一部分上，并暴露在所述基板的前表面上; 接触漂移层的背面的缓冲层; 与所述缓冲层的背面接触并暴露在所述基板的背面上的集电体层; 以及栅极电极，其通过绝缘体面对主体层将发射极层与漂移层分离的区域中的主体层，包括准备包括第一层的晶片和层叠在第二层的背面上的第二层 第一层并且具有比第一层更高的多晶硅浓度，以及通过在第二层中注入和扩散离子形成缓冲层。