公开(公告)号：US09368142B2

公开(公告)日：2016-06-14

申请号：US14035931

申请日：2013-09-24

Applicant: Seagate Technology LLC

Inventor： Jingsheng Chen ,  Huihui Li ,  Ganping Ju ,  Yingguo Peng

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/738 ,  C23C14/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  G11B5/73 ,  G11B5/65 ,  G11B5/667

CPC classification number: G11B5/738 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  G11B5/65 ,  G11B5/667 ,  G11B5/7325

Abstract: A magnetic stack includes a substrate, a magnetic recording layer, and a TiN—X layer disposed between the substrate and the magnetic recording layer. In the TiN—X layer, X is a dopant comprising at least one of MgO, TiO, TiO2, ZrN, ZrO, ZrO2, HfN, HfO, AlN, and Al2O3.

Abstract translation: 磁性堆叠包括基板，磁记录层和设置在基板和磁记录层之间的TiN-X层。 在TiN-X层中，X是包含MgO，TiO，TiO 2，ZrN，ZrO，ZrO 2，HfN，HfO，AlN和Al 2 O 3中的至少一种的掺杂剂。

公开(公告)号：US20140093748A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：US14035931

申请日：2013-09-24

Applicant: Seagate Technology LLC

Inventor： Jingsheng Chen ,  Huihui Li ,  Ganping Ju ,  Yingguo Peng

IPC: G11B5/738 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14

CPC classification number: G11B5/738 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  G11B5/65 ,  G11B5/667 ,  G11B5/7325

Abstract: A magnetic stack includes a substrate, a magnetic recording layer, and a TiN—X layer disposed between the substrate and the magnetic recording layer. In the TiN—X layer, X is a dopant comprising at least one of MgO, TiO, TiO2, ZrN, ZrO, ZrO2, HfN, HfO, AlN, and Al2O3.

Abstract translation: 磁性堆叠包括基板，磁记录层和设置在基板和磁记录层之间的TiN-X层。 在TiN-X层中，X是包含MgO，TiO，TiO 2，ZrN，ZrO，ZrO 2，HfN，HfO，AlN和Al 2 O 3中的至少一种的掺杂剂。