公开(公告)号：US20080102201A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11696451

申请日：2007-04-04

申请人： Seong Jae CHOI ,  Jae Young CHOI ,  Eun Joo JANG ,  Bulliard Xavier ,  Yu Jin KANG ,  Wan Ki BAE ,  Kook Heon CHAR

发明人： Seong Jae CHOI ,  Jae Young CHOI ,  Eun Joo JANG ,  Bulliard Xavier ,  Yu Jin KANG ,  Wan Ki BAE ,  Kook Heon CHAR

IPC分类号： B05D3/12

CPC分类号： B22F1/0088 ,  B22F2998/00 ,  H01L51/0036 ,  Y10T428/268 ,  B22F1/0022

摘要： Methods for producing nanoparticle thin films are disclosed. According to one of the methods, a nanoparticle thin film is produced by modifying the surface of nanoparticles to allow the nanoparticles to be charged, controlling an electrostatic attractive force between the charged nanoparticles and a substrate and a repulsive force between the individual nanoparticles by a variation in pH to control the number density of the nanoparticles arranged on the substrate.

摘要翻译： 公开了制备纳米微粒薄膜的方法。 根据这些方法之一，通过改变纳米颗粒的表面来制备纳米颗粒薄膜，以允许纳米颗粒被充电，控制带电的纳米颗粒和基底之间的静电吸引力以及通过变化的各个纳米颗粒之间的排斥力 以控制布置在基底上的纳米颗粒的数量密度。

公开(公告)号：US20130180446A1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：US13740779

申请日：2013-01-14

申请人： Yu Jin KANG ,  Young Su KU ,  Suk June KANG

发明人： Yu Jin KANG ,  Young Su KU ,  Suk June KANG

IPC分类号： H01L21/683

CPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/68735

摘要： A susceptor includes a plurality of holes in a first area and a plurality of holes in a second area. The first and second areas overlap a location which corresponds to at least one portion of a semiconductor device to be processed. The holes in the first area are provided in a first pattern and the holes in the second area are provided in a second pattern which may be different from the second pattern. The first and second patterns may differ, for example, based on the size, arrangement, spacing, location, and/or density of the holes.

摘要翻译： 感受器在第一区域中包括多个孔，在第二区域中包括多个孔。 第一和第二区域与对应于要处理的半导体器件的至少一部分的位置重叠。 第一区域中的孔设置成第一图案，并且第二区域中的孔以与第二图案不同的第二图案设置。 第一和第二图案可以不同，例如，基于孔的尺寸，布置，间距，位置和/或密度。