公开(公告)号：US20080003711A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：US11686205

申请日：2007-03-14

申请人： Seong-Hwee CHEONG ,  Sang-Woo LEE ,  Jin-Ho PARK ,  Seung-Gil YANG ,  Brad H. LEE

发明人： Seong-Hwee CHEONG ,  Sang-Woo LEE ,  Jin-Ho PARK ,  Seung-Gil YANG ,  Brad H. LEE

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/28282 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/4234

摘要： In one embodiment, a nonvolatile memory device can be fabricated by forming first metallic dots on a charge storage film using first source gas, forming substitution dots on the charge storage film on which the first metallic dots are formed and forming second metallic dots using a second source gas.

摘要翻译： 在一个实施例中，可以通过使用第一源气体在电荷存储膜上形成第一金属点来形成非易失性存储器件，在形成有第一金属点的电荷存储膜上形成取代点，并使用第二金属点形成第二金属点 源气。