公开(公告)号：US20050140915A1

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：US11020222

申请日：2004-12-27

申请人： Seung-Han Paek ,  Yong-Jin Cho ,  Jung-Il Lee ,  See-Hwa Jeong

发明人： Seung-Han Paek ,  Yong-Jin Cho ,  Jung-Il Lee ,  See-Hwa Jeong

IPC分类号： G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1339

CPC分类号： G02F1/13394 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133516

摘要： A method for fabrication a substrate for a liquid crystal display device includes: forming a color filter layer on a substrate; coating an organic layer on the color filter layer; irradiating a first light onto the organic layer; irradiating a second light onto the organic layer through a mask having a transmitting portion and a shielding portion, an energy density of the first light smaller than an energy density of the second light; and forming an overcoat layer and a column spacer by developing the organic layer.

摘要翻译： 液晶显示装置用基板的制造方法包括：在基板上形成滤色器层; 在滤色器层上涂覆有机层; 将第一光照射到有机层上; 通过具有透射部分和屏蔽部分的掩模将第二光照射到有机层上，第一光的能量密度小于第二光的能量密度; 并通过显影有机层形成外涂层和柱间隔物。

公开(公告)号：US07532299B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US11020222

申请日：2004-12-27

申请人： Seung-Han Paek ,  Yong-Jin Cho ,  Jung-Il Lee ,  See-Hwa Jeong

发明人： Seung-Han Paek ,  Yong-Jin Cho ,  Jung-Il Lee ,  See-Hwa Jeong

IPC分类号： G02F1/1335 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/13

CPC分类号： G02F1/13394 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133516

摘要： A method for fabrication a substrate for a liquid crystal display device includes: forming a color filter layer on a substrate; coating an organic layer on the color filter layer; irradiating a first light onto the organic layer; irradiating a second light onto the organic layer through a mask having a transmitting portion and a shielding portion, an energy density of the first light smaller than an energy density of the second light; and forming an overcoat layer and a column spacer by developing the organic layer.

摘要翻译： 液晶显示装置用基板的制造方法包括：在基板上形成滤色器层; 在滤色器层上涂覆有机层; 将第一光照射到有机层上; 通过具有透射部分和屏蔽部分的掩模将第二光照射到有机层上，第一光的能量密度小于第二光的能量密度; 并通过显影有机层形成外涂层和柱间隔物。

公开(公告)号：US07365819B2

公开(公告)日：2008-04-29

申请号：US10609867

申请日：2003-07-01

申请人： Yong-Jin Cho ,  Jung-Il Lee ,  Min-Joo Kim

发明人： Yong-Jin Cho ,  Jung-Il Lee ,  Min-Joo Kim

IPC分类号： G02F1/1343

CPC分类号： G02F1/134363 ,  G02F1/136213

摘要： An in-plane switching mode liquid crystal display device includes a plurality of gate lines and data lines defining a plurality of pixel regions, a driving device disposed within each of the pixel regions, at least one first electrode having a first width and at least one second electrode having a second width both arranged within the pixel region, and at least one third electrode having a third width overlapping at least one of the first and second electrodes to form a storage capacitor.

摘要翻译： 面内切换模式液晶显示装置包括：多个栅极线和限定多个像素区域的数据线，设置在每个像素区域内的驱动装置，具有第一宽度的至少一个第一电极和至少一个 第二电极具有布置在像素区域内的第二宽度，以及具有与第一和第二电极中的至少一个重叠的第三宽度的至少一个第三电极，以形成存储电容器。

公开(公告)号：US07852453B2

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：US12561981

申请日：2009-09-17

申请人： Joon-Young Yang ,  Jung-Il Lee

发明人： Joon-Young Yang ,  Jung-Il Lee

IPC分类号： G02F1/13 ,  H01L21/77

CPC分类号： G02F1/134363 ,  G02F2001/136231

摘要： An IPS mode LCD device and a method for fabricating the same are disclosed. A switching device is formed at each unit pixel and then a passivation layer is formed thereon. A first concave pattern and a second concave pattern at each unit pixel by using one mask are formed, and a common electrode is formed in the first concave pattern and a pixel electrode is formed in the second concave pattern. Accordingly, the entire fabrication process is simplified.

摘要翻译： 公开了IPS模式LCD装置及其制造方法。 在每个单位像素处形成开关装置，然后在其上形成钝化层。 形成通过使用一个掩模在每个单位像素处的第一凹形图案和第二凹形图案，并且在第一凹形图案中形成公共电极，并且在第二凹形图案中形成像素电极。 因此，整个制造过程被简化。

公开(公告)号：US07592609B2

公开(公告)日：2009-09-22

申请号：US11789916

申请日：2007-04-26

申请人： Jang-Lyul Kim ,  Jung-Il Lee ,  Jeong-Sun Yang ,  Bong-Hwan Kim ,  Jong-Soo Kim

发明人： Jang-Lyul Kim ,  Jung-Il Lee ,  Jeong-Sun Yang ,  Bong-Hwan Kim ,  Jong-Soo Kim

IPC分类号： H05B33/00 ,  G01T1/10

CPC分类号： G01T1/11

摘要： Disclosed herein are a thermoluminescent dosimeter for radiation monitoring, comprising LiF doped with Mg, Cu and Si, and a fabrication method thereof. The LiF:Mg,Cu,Si thermoluminescent dosimeter is fabricated by heating a LiF-based thermoluminescent powder material having a composition of LiF mother material, 0.1-0.5 mol % of a Mg compound, 0.001-0.05 mol % of a Cu compound and 0.5-1.3 mol % of a Si compound to a temperature of 900-1200° C. to melt the LiF-based material, cooling the melted material, compression-molding the cooled material, sintering the molded material, cooling the sintered material, and then annealing the cooled material. The thermoluminescent dosimeter has high thermal stability and thus maintains constant thermoluminescence sensitivity even when it is annealed at a high temperature of more than 240° C. Moreover, it has a remarkably low residual signal, and shows excellent dosimetric characteristics, because it can maintain the same sensitivity as its initial readout value, even when it is reused.

摘要翻译： 本文公开了一种用于辐射监测的热发光剂量计，其包括掺杂有Mg，Cu和Si的LiF及其制造方法。 LiF：Mg，Cu，Si热发光剂量计是通过加热LiF母体材料，0.1-0.5mol％的Mg化合物，0.001-0.05mol％的Cu化合物和0.5wt％的Cu化合物的LiF基热发光粉末材料 -1.3摩尔％的Si化合物至900-1200℃的温度以熔化LiF基材料，冷却熔融的材料，压缩模制冷却的材料，烧结模制材料，冷却烧结材料，然后 退火冷却材料。 热发光剂量计具有高的热稳定性，因此即使在高于240℃的高温下退火也能保持恒定的热发光灵敏度。此外，它具有非常低的残留信号，并且显示出优异的剂量特性，因为它可以保持 与其初始读数值相同的灵敏度，即使在重复使用时也是如此。

公开(公告)号：US20070128742A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11673865

申请日：2007-02-12

申请人： Jung-Il Lee ,  Geum-Jong Bae ,  Ki-Chul Kim ,  Hwa-Sung Rhee ,  Sang-Su Kim

发明人： Jung-Il Lee ,  Geum-Jong Bae ,  Ki-Chul Kim ,  Hwa-Sung Rhee ,  Sang-Su Kim

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/76259

摘要： A method of forming a silicon-on-insulator (SOI) semiconductor substrate includes implanting hydrogen ions into a support substrate to form a microbubble layer apart from a surface of the support substrate, forming an SOI layer on the microbubble layer, forming a diffusion barrier layer over the SOI layer, forming a buried oxide layer on a handle substrate, contacting the diffusion barrier layer with the buried oxide layer to be bonded, and annealing the bonded support and handle substrates to separate the support substrate from the SOI layer, wherein the diffusion barrier layer is formed by an insulating layer having a lower impurity diffusion coefficient as compared with the buried oxide layer.

摘要翻译： 形成绝缘体上硅（SOI）半导体衬底的方法包括将氢离子注入到支撑衬底中以形成与支撑衬底的表面隔开的微泡层，在微泡层上形成SOI层，形成扩散阻挡层 在SOI层上形成掩埋氧化物层，在接触衬底上形成掩埋氧化物层，使扩散阻挡层与要接合的掩埋氧化物层接触，并对接合的支撑体和处理衬底退火以将支撑衬底与SOI层分离，其中 通过与掩埋氧化物层相比具有较低杂质扩散系数的绝缘层形成扩散阻挡层。

公开(公告)号：US07005084B2

公开(公告)日：2006-02-28

申请号：US10239317

申请日：2002-01-12

申请人： Jang-Lyul Kim ,  Si-Young Chang ,  Jung-Il Lee ,  Jeong-Sun Yang ,  Young-Mi Nam

发明人： Jang-Lyul Kim ,  Si-Young Chang ,  Jung-Il Lee ,  Jeong-Sun Yang ,  Young-Mi Nam

IPC分类号： C09K11/08 ,  C01D15/04 ,  G01T1/11

CPC分类号： G01T1/10

摘要： The disclosure concerns a pellet type LiF element for a thermoluminescent dosimetry (TLD) and its preparation. More particularly, the disclosure concerns the pellet type LiF element for a thermoluminescent dosimetry (TLD) which includes 0.35˜0.12% by mole of Mg source; 0.08˜0.001% by mole of Cu source; 1.3˜0.5% by mole of Na source; and 1.3˜0.5% by mole of Si source as dopants. The pellet type LiF element according to the present invention shows excellent sensitivity and has the preferred glow curve with a simple and single main peak.

摘要翻译： 本公开涉及用于热发光剂量测定（TLD）的颗粒型LiF元件及其制备。 更具体地，本公开涉及包含0.35〜0.12摩尔％的Mg源的热发光剂量测定法（TLD）的粒状LiF元素。 0.08〜0.001％的Cu源; 1.3％〜0.5％的Na源; 和1.3〜0.5摩尔％的Si源作为掺杂剂。 根据本发明的颗粒型LiF元件显示出优异的灵敏度，并且具有优选的辉光曲线，具有简单且单一的主峰。

公开(公告)号：US06881650B2

公开(公告)日：2005-04-19

申请号：US10307351

申请日：2002-12-02

申请人： Jung-Il Lee ,  Kazuyuki Fujihara ,  Nae-In Lee ,  Geum-Jong Bae ,  Hwa-Sung Rhee ,  Sang-su Kim

发明人： Jung-Il Lee ,  Kazuyuki Fujihara ,  Nae-In Lee ,  Geum-Jong Bae ,  Hwa-Sung Rhee ,  Sang-su Kim

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： A method for forming SOI substrates including a SOI layer containing germanium and a strained silicon layer disposed on the SOI layer, comprises forming a relaxed silicon-germanium layer on a first silicon substrate using an epitaxial growth method, and forming a porous silicon-germanium layer thereon. A silicon-germanium epitaxial layer is formed on the porous silicon-germanium layer, an oxide layer is formed on a second silicon substrate, the second silicon substrate is bonded where the oxide layer is formed to the first silicon substrate where the silicon-germanium epitaxial layer is formed. Layers are removed to expose the silicon-germanium epitaxial layer and a strained silicon epitaxial layer is formed thereon. The porous silicon-germanium layer prevents lattice defects of the relaxed silicon-germanium layer from transferring to the silicon-germanium epitaxial layer. Therefore, it is possible to form the silicon-germanium layer and the strained silicon layer of the SOI layer without defects.

摘要翻译： 一种用于形成包括含有锗的SOI层和设置在SOI层上的应变硅层的SOI衬底的方法包括：使用外延生长方法在第一硅衬底上形成松弛的硅 - 锗层，并且形成多孔硅 - 锗层 上。 在多孔硅锗层上形成硅 - 锗外延层，在第二硅衬底上形成氧化物层，将形成氧化物层的第二硅衬底接合到第一硅衬底上，其中硅 - 锗外延 形成层。 去除层以暴露硅 - 锗外延层，并在其上形成应变硅外延层。 多孔硅 - 锗层防止松散的硅 - 锗层的晶格缺陷转移到硅 - 锗外延层。 因此，可以形成SOI层的硅 - 锗层和应变硅层，而没有缺陷。

公开(公告)号：US5672726A

公开(公告)日：1997-09-30

申请号：US512829

申请日：1995-08-09

申请人： Su-Noh Ryu ,  Jung-Il Lee ,  Bo-Young Jeong ,  Han-Sun Hur

发明人： Su-Noh Ryu ,  Jung-Il Lee ,  Bo-Young Jeong ,  Han-Sun Hur

IPC分类号： C07B63/00 ,  C07C51/47 ,  C07C57/12 ,  C11C1/08 ,  C07C1/60

CPC分类号： C07C51/47

摘要： Disclosed herein is a method for separating and purifying .alpha.-linolenic acid (ALA) from ALA-containing fatty acid mixtures by using a column chromatography, comprises the steps of: packing a column with silver nitrate(AgNO.sub.3)-impregnated silica gel as a stationary phase; passing the ALA-containing fatty acid mixtures through the column to adsorb the fatty acids to the stationary phase in the form of Ag.sup.+ -complexes; eluting the fatty acids with acetone-hexane mixtures; and collecting the fractions containing ALA having a purity of more than 95%.

摘要翻译： 本文公开了一种通过使用柱色谱法从含ALA的脂肪酸混合物中分离和纯化α-亚麻酸（ALA）的方法，包括以下步骤：用硝酸银（AgNO 3）浸渍的硅胶将柱填充为固定 相; 使含有ALA的脂肪酸混合物通过柱子以脂肪酸的形式吸附到固定相中，形成Ag + - 络合物; 用丙酮 - 己烷混合物洗脱脂肪酸; 并收集含有纯度大于95％的ALA的级分。

公开(公告)号：US08451410B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US13167523

申请日：2011-06-23

申请人： Jeong-Oh Kim ,  Jong-Won Moon ,  Jung-Il Lee

发明人： Jeong-Oh Kim ,  Jong-Won Moon ,  Jung-Il Lee

IPC分类号： G02F1/1343

CPC分类号： G02F1/134363 ,  G02F2001/134318

摘要： An array substrate for a wide viewing angle liquid crystal display device includes a gate line on a substrate, a data line crossing the gate line to define a pixel region, a thin film transistor electrically connected to the gate and data lines, a pixel electrode in the pixel region and connected to a drain electrode of the thin film transistor, the pixel electrode including two parts and an opening portion therebetween, a first common electrode in the opening portion, the first common electrode disposed on a same layer as the pixel electrode, a passivation layer on the pixel electrode and the first common electrode, the passivation layer having a common contact hole exposing the first common electrode, and a second common electrode on the passivation layer and connected to the first common electrode through the common contact hole, the second common electrode including first openings corresponding to the pixel electrode and a second opening corresponding to the opening portion.

摘要翻译： 广视角液晶显示装置的阵列基板包括基板上的栅极线，与栅极线交叉以限定像素区域的数据线，与栅极和数据线电连接的薄膜晶体管，像素电极 所述像素区域并连接到所述薄膜晶体管的漏电极，所述像素电极包括两部分和其间的开口部分，所述开口部分中的第一公共电极，设置在与所述像素电极相同的层上的所述第一公共电极， 在所述像素电极和所述第一公共电极上的钝化层，所述钝化层具有暴露所述第一公共电极的公共接触孔，以及在所述钝化层上的第二公共电极，并且通过所述公共接触孔连接到所述第一公共电极， 第二公共电极包括对应于像素电极的第一开口和对应于开口部分的第二开口。