公开(公告)号：US06524397B2

公开(公告)日：2003-02-25

申请号：US09825829

申请日：2001-04-05

申请人： Shigeru Sakurai ,  Masaharu Emoto ,  Hachiro Hirano ,  Makoto Yoshida ,  Hiroaki Noda ,  Michihiro Kawano

发明人： Shigeru Sakurai ,  Masaharu Emoto ,  Hachiro Hirano ,  Makoto Yoshida ,  Hiroaki Noda ,  Michihiro Kawano

IPC分类号： B08B304

CPC分类号： C11D7/12 ,  C11D11/0041 ,  C23G1/14 ,  C23G1/19 ,  C23G1/24 ,  F28G9/00

摘要： A method for removing an acidic deposit containing a sulfur compound, which comprises contacting the acidic deposit with an aqueous solution of an alkali metal carbonate and/or an alkali metal hydrogencarbonate to remove it.

摘要翻译： 一种除去含有硫化合物的酸性沉积物的方法，其包括使酸性沉积物与碱金属碳酸盐和/或碱金属碳酸氢盐的水溶液接触以除去它。

公开(公告)号：US06387741B1

公开(公告)日：2002-05-14

申请号：US09762056

申请日：2001-02-01

申请人： Michihiro Kawano

发明人： Michihiro Kawano

IPC分类号： H01L2184

CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76281 ,  H01L27/1203

摘要： Silicon layers 2a, 2b comprised of different thicknesses are formed concurrently so as to be isolated from each other while a silicon oxide layer 1 serving as a foundation layer is controlled to be free from hollows by implanting ions only into a field silicon oxide layer 5a comprised of a thick film thickness among field silicon oxide layers 5a, 5b to be used for separating circuit elements, and thereby altering etching rates of the field silicon oxide layers 5a, 5b.

摘要翻译： 同时形成由不同厚度组成的硅层2a，2b，以便通过将离子注入仅包含在氧化硅层5a中的场氧化物层5a中，而将用作基础层的氧化硅层1控制为不含空洞 在用于分离电路元件的场氧化硅层5a，5b之间具有厚膜厚度，从而改变场氧化硅层5a，5b的蚀刻速率。