公开(公告)号：US06974749B2

公开(公告)日：2005-12-13

申请号：US10677568

申请日：2003-10-01

申请人： Shih-Chi Lai ,  Yifu Chung ,  Yi-Chuan Yang ,  Jen-Chieh Chang ,  Jason Chien-Sung Chu ,  Chun-De Lin

发明人： Shih-Chi Lai ,  Yifu Chung ,  Yi-Chuan Yang ,  Jen-Chieh Chang ,  Jason Chien-Sung Chu ,  Chun-De Lin

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/763 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/763 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734

摘要： Embodiments of the present invention are directed to a method of forming a bottom oxide layer in the trench in semiconductor devices, such as Double-Diffused Metal-Oxide Semiconductor (DMOS) devices. In one embodiment, a method of forming a bottom oxide layer in a trench structure comprises providing a semiconductor substrate; forming a silicon nitride layer on the semiconductor substrate; forming a first oxide layer on the silicon nitride layer; forming a trench structure in the semiconductor substrate; forming a second oxide layer on a bottom and sidewalls of the trench and on a surface of the first oxide layer; removing the first oxide layer and the second oxide layer on the surface of the silicon nitride layer; and removing the second oxide layer on the sidewalls of the trench and a portion of the second oxide layer on the bottom of the trench.

摘要翻译： 本发明的实施例涉及在诸如双扩散金属氧化物半导体（DMOS）器件的半导体器件中的沟槽中形成底部氧化物层的方法。 在一个实施例中，在沟槽结构中形成底部氧化物层的方法包括提供半导体衬底; 在所述半导体衬底上形成氮化硅层; 在所述氮化硅层上形成第一氧化物层; 在所述半导体衬底中形成沟槽结构; 在所述沟槽的底部和侧壁上以及所述第一氧化物层的表面上形成第二氧化物层; 去除氮化硅层表面上的第一氧化物层和第二氧化物层; 并且去除沟槽的侧壁上的第二氧化物层和沟槽底部上的第二氧化物层的一部分。