公开(公告)号：US20120258261A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：US13443668

申请日：2012-04-10

申请人： Sirish Reddy ,  Alice Hollister ,  Pramod Subramonium ,  Jon Henri ,  Chunhai Ji ,  Zhi Yuan Fang

发明人： Sirish Reddy ,  Alice Hollister ,  Pramod Subramonium ,  Jon Henri ,  Chunhai Ji ,  Zhi Yuan Fang

IPC分类号： B29B13/08

CPC分类号： H01L21/0332 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144

摘要： A method for depositing a film includes arranging a substrate in a plasma enhanced chemical vapor deposition chamber. A first ashable hardmask (AHM) layer that is carbon-based is deposited on the substrate. During the depositing of the first AHM layer, doping is performed with at least one dopant selected from a group consisting of silicon, silane, boron, nitrogen, germanium, carbon, ammonia, and carbon dioxide. An atomic percentage of the at least one dopant is greater than or equal to 5% of the first AHM layer.

摘要翻译： 一种用于沉积膜的方法包括在等离子体增强化学气相沉积室中布置基板。 基于碳基的第一可灰化硬掩模（AHM）层被沉积在基底上。 在沉积第一AHM层期间，用至少一种选自硅，硅烷，硼，氮，锗，碳，氨和二氧化碳的掺杂剂进行掺杂。 至少一种掺杂剂的原子百分比大于或等于第一AHM层的5％。